發(fā)布時(shí)間：2017-06-21 09:19

  本文關(guān)鍵詞：納米光刻中調(diào)焦調(diào)平測(cè)量系統(tǒng)的工藝相關(guān)性，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：隨著半導(dǎo)體制造步入1xnm技術(shù)節(jié)點(diǎn)時(shí)代,光刻機(jī)中的對(duì)焦控制精度需要達(dá)到幾十納米。在納米精度范圍內(nèi),硅片上的集成電路(IC)工藝顯著影響調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)的測(cè)量精度�；趯�(shí)際的調(diào)焦調(diào)平光學(xué)系統(tǒng)模型和三角法、疊柵條紋法測(cè)量原理,建立工藝相關(guān)性誤差模型。研究表明,工藝相關(guān)性誤差主要來(lái)源于測(cè)量光在光刻膠涂層內(nèi)部的多次反射。選取3種光刻膠仿真分析發(fā)現(xiàn),不同光刻膠的工藝相關(guān)性誤差隨光刻膠厚度的變化趨勢(shì)相同,隨測(cè)量光入射角(45°~85°)的增大而減小。在實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證平臺(tái)上分別測(cè)量7種工藝硅片,實(shí)驗(yàn)測(cè)量值與理論模型計(jì)算值差異統(tǒng)計(jì)平均值小于6nm。結(jié)果表明,光刻機(jī)中調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)的測(cè)量光有必要采用大入射角度,同時(shí)提高光刻膠的涂膠均勻性,以減少工藝相關(guān)性誤差。
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;中國(guó)科學(xué)院大學(xué);
【關(guān)鍵詞】： 測(cè)量 調(diào)焦調(diào)平 工藝相關(guān)性 納米光刻
【基金】：國(guó)家科技重大專項(xiàng)(2012ZX02701004)
【分類號(hào)】：TN305.7
【正文快照】： 隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,極大規(guī)模集成電路進(jìn)入1xnm技術(shù)節(jié)點(diǎn)時(shí)代,光刻機(jī)的對(duì)焦控制范圍下降至幾十納米[1-2]。在光刻機(jī)中,調(diào)焦調(diào)平測(cè)量系統(tǒng)用于測(cè)量硅片表面高度分布,其測(cè)量結(jié)果用于控制工件0812001-1臺(tái),使硅片表面的曝光區(qū)域位于最佳焦平面[3]。因此,研制具有納米級(jí)測(cè)量精

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 ;180nm及更深技術(shù)中去除過(guò)度注入光刻膠的干剝離工藝(英文)[J];半導(dǎo)體技術(shù);2003年05期

2 穆啟道;曹立新;;光刻技術(shù)的發(fā)展與光刻膠的應(yīng)用[J];集成電路應(yīng)用;2003年06期

3 潘家立;陶玉柱;;光刻膠之關(guān)鍵技術(shù)[J];集成電路應(yīng)用;2003年06期

4 鄭金紅;;光刻膠的發(fā)展及應(yīng)用[J];精細(xì)與專用化學(xué)品;2006年16期

5 Laird MacDowell;;光刻膠使用量預(yù)測(cè)與庫(kù)存[J];集成電路應(yīng)用;2007年08期

6 沈熙磊;;2010年全球光刻膠銷售11.5億美元未來(lái)3年將保持4.7%的年增長(zhǎng)率[J];半導(dǎo)體信息;2011年04期

7 許箭;陳力;田凱軍;胡睿;李沙瑜;王雙青;楊國(guó)強(qiáng);;先進(jìn)光刻膠材料的研究進(jìn)展[J];影像科學(xué)與光化學(xué);2011年06期

8 張世權(quán);朱斌;顧霞;;不同襯底材料對(duì)光刻膠剖面的影響[J];電子與封裝;2013年08期

9 山峰孝,中村洋一,黃子倫;光學(xué)曝光用光刻膠的種類及其特性[J];微電子學(xué);1980年02期

10 錢石南;光刻膠照相鍍鉻法[J];光學(xué)技術(shù);1980年04期

中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前5條

1 韓婷婷;李波;李玉香;王卿璞;;超臨界CO_2微乳液對(duì)高濃度離子注入光刻膠的清洗[A];第七屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集（第6分冊(cè)）[C];2010年

2 王力元;;193nm光刻膠用光產(chǎn)酸劑研制[A];集成電路配套材料研討會(huì)及參展資料匯編[C];2004年

3 穆啟道;;我國(guó)超凈高純?cè)噭┖凸饪棠z的現(xiàn)狀與發(fā)展[A];電子專用化學(xué)品高新技術(shù)與市場(chǎng)研討會(huì)論文集[C];2004年

4 柯旭;巫文強(qiáng);王躍川;;用于玻璃刻蝕的新型光刻膠[A];2006年全國(guó)高分子材料科學(xué)與工程研討會(huì)論文集[C];2006年

5 張曄;陳迪;張金婭;朱軍;劉景全;;UV-LIGA中光源波長(zhǎng)和曝光量對(duì)SU-8光刻膠微結(jié)構(gòu)的影響[A];中國(guó)微米、納米技術(shù)第七屆學(xué)術(shù)會(huì)年會(huì)論文集（一）[C];2005年

中國(guó)重要報(bào)紙全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前8條

1 記者 李大慶;我第一條百噸級(jí)高檔光刻膠生產(chǎn)線投產(chǎn)[N];科技日?qǐng)?bào);2009年

2 北京科華微電子材料有限公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理 陳昕;多方努力尋求高檔光刻膠突破[N];中國(guó)電子報(bào);2009年

3 蘇州瑞紅電子化學(xué)品有限公司技術(shù)部部長(zhǎng) 顧奇;TFT用感光材料國(guó)內(nèi)外技術(shù)懸殊國(guó)內(nèi)化學(xué)品企業(yè)努力追趕[N];中國(guó)電子報(bào);2009年

4 本文由永光化學(xué)電處技術(shù)發(fā)展部提供;光刻膠在LED工藝上的使用技術(shù)[N];電子資訊時(shí)報(bào);2004年

5 北京科華微電子材料有限公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理 陳昕;TFT高性能光刻膠國(guó)產(chǎn)化勢(shì)在必行[N];中國(guó)電子報(bào);2009年

6 北京師范大學(xué)化學(xué)學(xué)院 王力元　徐娜;產(chǎn)學(xué)研合作加快LCD光刻膠研究[N];中國(guó)電子報(bào);2009年

7 ;90納米時(shí)代 IC工藝的光刻膠[N];電子資訊時(shí)報(bào);2004年

8 張偉;FSI全新無(wú)灰化、濕法光刻膠去除ViPR技術(shù)[N];電子資訊時(shí)報(bào);2006年

中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前5條

1 周新江;基于變量分離理論的光刻成像快速計(jì)算方法研究[D];華中科技大學(xué);2015年

2 劉建國(guó);耐高溫紫外正型光刻膠和248nm深紫外光刻膠的研制[D];華中科技大學(xué);2007年

3 唐雄貴;厚膠光學(xué)光刻技術(shù)研究[D];四川大學(xué);2006年

4 李木軍;接近式光刻仿真研究[D];中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué);2007年

5 張曉蕾;超聲提高SU-8光刻膠/金屬基底界面結(jié)合強(qiáng)度研究[D];大連理工大學(xué);2015年

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 雷國(guó)韜;曲表面光刻膠涂覆技術(shù)研究[D];長(zhǎng)春理工大學(xué);2012年

2 王瑛;紫外厚膠深光刻技術(shù)研究[D];長(zhǎng)春理工大學(xué);2010年

3 朱冬華;三苯胺多枝化合物為引發(fā)劑的光刻膠過(guò)程作用的研究與含三苯胺的化合物合成[D];蘇州大學(xué);2010年

4 馮偉;含氟氣體的去光刻膠工藝灰化率提高的研究[D];上海交通大學(xué);2007年

5 陶燾;碘化銫熒光量子點(diǎn)增強(qiáng)光刻膠光刻效果的研究[D];上海交通大學(xué);2013年

6 張春暉;光刻工藝中的曲面膠厚檢測(cè)[D];浙江大學(xué);2010年

7 韓婷婷;超臨界CO_2微乳液去除光刻膠的研究[D];山東大學(xué);2011年

8 劉干;化學(xué)增幅光刻膠及其在電子束光刻中的應(yīng)用[D];江南大學(xué);2008年

9 賴海長(zhǎng);后段干法去除光刻膠工藝研究[D];上海交通大學(xué);2011年

10 李波;超臨界CO_2用于光刻膠去除和低k材料修復(fù)的研究[D];山東大學(xué);2012年

  本文關(guān)鍵詞：納米光刻中調(diào)焦調(diào)平測(cè)量系統(tǒng)的工藝相關(guān)性，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號(hào)：468232