反射型半導(dǎo)體光放大器建模與模擬
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【部分圖文】:
圖1RSOA的結(jié)構(gòu)圖
如圖1所示,RSOA的有源區(qū)是異質(zhì)結(jié)構(gòu)。在有源區(qū)內(nèi),InGaAsP質(zhì)半導(dǎo)體材料呈脊形,掩埋在InP質(zhì)基底中。RSOA的基本結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體光放大器相似,是在其前解理面上增加了具有低反射率的前端涂層,在其后解理面上增加了具有高反射率的后端涂層。當(dāng)有光信號(hào)進(jìn)入到RSOA中,首先光信號(hào)將經(jīng)....
圖2算法模型圖
2.2算法流程如圖2所示,該模型使用的算法主要思想是通過(guò)更新整個(gè)RSOA中活性區(qū)域(放大腔)中的載流子密度,即Q(i)為載流子濃度N(i)隨時(shí)間變化的導(dǎo)數(shù),當(dāng)Q(i)=0時(shí),可認(rèn)為活性區(qū)域中的載流子密度達(dá)到最大值。所以該模型在算法中通過(guò)多階迭代不斷檢驗(yàn)Q(i)的值是否為0。將整....
圖3載流子密度分布圖
圖3和圖4中顯示的是RSOA的載流子密度以及前向和后向傳播的總ASE光子率和信號(hào)光子速率在RSOA中的空間分布。由于前解理面反射率較低,反向傳播信號(hào)可以忽略不計(jì)。當(dāng)輸入功率較低時(shí),載流子密度的空間分布接近對(duì)稱,在接近RSOA的中心時(shí)達(dá)到峰值,然后向輸入和輸出面的方向上逐漸下降。造....
圖4ASE總光子率信號(hào)光子率分布
圖3載流子密度分布圖3.2RSOA輸出譜和噪聲指數(shù)
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