隨著1G至4G通信系統(tǒng)的快速發(fā)展,sub 6GHz射頻頻段日趨擁擠,又因?yàn)楹撩撞l段具備高數(shù)據(jù)速率、頻譜較為干凈等優(yōu)點(diǎn),所以催生了許多毫米波頻段的應(yīng)用,例如5G通信的毫米波頻段、車載雷達(dá)等。由于傳統(tǒng)的III-V族半導(dǎo)體工藝制造成本高,限制了其在民用消費(fèi)領(lǐng)域的應(yīng)用;同時(shí)隨著硅基工藝的迅速發(fā)展,其晶體管截止頻率已超過200GHz,使得硅基工藝具備了實(shí)現(xiàn)毫米波電路的可能。又由于硅基工藝具備制造成本低、集成度高等優(yōu)點(diǎn),同時(shí)面臨著耐壓較低、損耗較大的缺點(diǎn),國(guó)內(nèi)外許多學(xué)者都對(duì)采用硅基工藝實(shí)現(xiàn)毫米波電路展開了深入的研究。本文主要研究在硅基工藝的限制下,如何設(shè)計(jì)出高增益和高輸出功率的功率放大器。首先,本文基于硅基工藝對(duì)常用的無(wú)源和有源器件展開介紹和理論分析,重點(diǎn)對(duì)變壓器展開理論推導(dǎo),分析變壓器阻抗變換的特性,為后續(xù)采用變壓器進(jìn)行電路設(shè)計(jì)打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。為能設(shè)計(jì)性能良好的功率放大器,必須結(jié)合設(shè)計(jì)實(shí)際對(duì)放大器基礎(chǔ)內(nèi)容加以分析。本文采用理論推導(dǎo)的方式闡述輸入阻抗與穩(wěn)定性之間的關(guān)系;推導(dǎo)得到共柵級(jí)和cascode放大器的輸出阻抗,并結(jié)合loadpull原理闡述cascode放大器S₂₂較...

【文章頁(yè)數(shù)】：76 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖2-1返回路徑不同的兩

。容易被忽略的是，返回路徑（即地平面）的形狀和其與金屬線的間距會(huì)影響總電感。這是非常重要的，因?yàn)閷?shí)際中任何一根金屬線都是不可能脫離返回路徑單獨(dú)考慮其電感的，事實(shí)上，在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中，任何金屬線都是處于地平面的包圍中，在計(jì)算某一段導(dǎo)線引起的電感量時(shí)，并不能僅僅考慮導(dǎo)線本身，還需要考....

分布圖(b).兩端口之間的返回路徑切割有槽兩種電感電流密度

第二章硅基毫米波器件基礎(chǔ)7散，從而使磁力線匝數(shù)會(huì)略有減小，導(dǎo)體的電感也會(huì)略微減小，但這僅是一個(gè)二階效應(yīng)。同理若導(dǎo)體的橫截面積減小，則電流分布會(huì)越密集，從而導(dǎo)體電流周圍磁力線匝數(shù)會(huì)略有增加，使得電感量略有增大。第四，附近其它電流的存在也會(huì)對(duì)第一個(gè)電流周圍的磁力線匝數(shù)產(chǎn)生影響。容易被....

圖2-1(a)對(duì)應(yīng)的電感值(b).圖2-1(b)對(duì)應(yīng)的電感值

電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文8返回路徑長(zhǎng)度的差別也造成了兩者之間在總電感值上的差別。圖2-2所示為圖2-1中兩種返回路徑下的電感值，通過對(duì)比可知，圖2-1(b)對(duì)應(yīng)的電感值比圖2-1(a)中的電感值更大，也即在其他條件一定的前提下，若返回路徑越長(zhǎng)，則電感值越大。例如在35GHz時(shí)，圖....

圖2-3八邊形和直線金

電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文8返回路徑長(zhǎng)度的差別也造成了兩者之間在總電感值上的差別。圖2-2所示為圖2-1中兩種返回路徑下的電感值，通過對(duì)比可知，圖2-1(b)對(duì)應(yīng)的電感值比圖2-1(a)中的電感值更大，也即在其他條件一定的前提下，若返回路徑越長(zhǎng)，則電感值越大。例如在35GHz時(shí)，圖....

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