采用二次外延重摻雜n⁺GaN實現(xiàn)非合金歐姆接觸,并通過優(yōu)化干法刻蝕和金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)外延工藝,有效降低了歐姆接觸電阻。將非合金歐姆接觸工藝應用于InAlN/GaN異質結場效應晶體管(HFET)器件制備,器件的有效源漏間距縮小至600 nm。同時,結合40 nm T型柵工藝,制備了高電流截止頻率(f_T)和最大振蕩頻率(f_max)的InAlN/GaN HFET器件。結果顯示減小歐姆接觸電阻和柵長后,器件的電學特性,尤其是射頻特性得到大幅提升。柵偏壓為0 V時,器件最大漏源飽和電流密度達到1.88 A/mm;直流峰值跨導達到681 m S/mm。根據(jù)射頻小信號測試結果外推得到器件的f_T和f_max同為217 GHz。

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【文章目錄】：
0 引言
1 實驗
2 結果與討論
3 結論



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