GaN器件大功率、高集成度的發(fā)展受限于熱積累效應(yīng)引起器件結(jié)溫升高問(wèn)題,嚴(yán)重導(dǎo)致器件性能和壽命衰減,使GaN器件的高功率性能優(yōu)勢(shì)遠(yuǎn)未得到發(fā)揮,片內(nèi)微流熱管理技術(shù)是解決熱瓶頸的重要途徑。針對(duì)上述問(wèn)題,詳細(xì)論述了GaN器件熱瓶頸的基礎(chǔ)問(wèn)題和片內(nèi)微流熱管理的重要性,并對(duì)近年來(lái)國(guó)際正在開(kāi)展的片內(nèi)微流散熱技術(shù)研究情況進(jìn)行系統(tǒng)分析和評(píng)述,揭示了微流體與GaN器件片內(nèi)近結(jié)集成的各類(lèi)設(shè)計(jì)方法、工藝開(kāi)發(fā)途徑和面臨的技術(shù)難點(diǎn),闡述了GaN器件片內(nèi)微流熱管理技術(shù)的現(xiàn)狀和發(fā)展方向。 

【文章頁(yè)數(shù)】：7 頁(yè)

【文章目錄】：
1 GaN HEMT器件熱積累瓶頸
2 片內(nèi)微流散熱技術(shù)的應(yīng)用意義
3 GaN器件片內(nèi)微流散熱技術(shù)現(xiàn)狀
    3.1 SiC結(jié)構(gòu)片內(nèi)微流散熱技術(shù)
    3.2 金剛石結(jié)構(gòu)片內(nèi)微流散熱技術(shù)
    3.3 復(fù)合襯底結(jié)構(gòu)片內(nèi)微流散熱技術(shù)
4 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]GaN功率器件芯片級(jí)熱管理技術(shù)研究進(jìn)展[J]. 郭懷新,孔月嬋,韓平,陳堂勝.  固體電子學(xué)研究與進(jìn)展. 2018(05)



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