由于半導(dǎo)體具有獨特的光學(xué)和電學(xué)特性,在化學(xué)、物理、材料、環(huán)境等相關(guān)領(lǐng)域的前沿交叉學(xué)科得到了深入研究和廣泛應(yīng)用。近年來,隨著人們對能源和環(huán)境問題的日益關(guān)注,半導(dǎo)體在光電催化和光致發(fā)光等領(lǐng)域的應(yīng)用潛力得到越來越多的關(guān)注,被認(rèn)為是相關(guān)領(lǐng)域最具有發(fā)展前景的材料之一。本論文針對兩種半導(dǎo)體CdS和無機(jī)鈣鈦礦進(jìn)行了以下的工作:CdS納米棒（NRs）在含有犧牲劑（肼）的電解液中的光電催化性能研究;Bi2S3/CdS納米片陣列的控制合成及其光電催化性能研究;無機(jī)鈣鈦礦納米晶與手性分子進(jìn)行組裝,實現(xiàn)手性的傳遞產(chǎn)生圓偏振發(fā)光（CPL）。主要研究結(jié)果如下:（1）發(fā)現(xiàn)了一種特殊犧牲劑,使CdS半導(dǎo)體在其存在條件下具有超高穩(wěn)定性（超過100 h）。通過水熱法合成了 CdS NRs,將所得CdS作為光陽極,研究了加入特殊犧牲劑對體系穩(wěn)定性的影響。結(jié)果顯示:當(dāng)外電壓為1.23 V vs.RHE時,CdS NRs在含有犧牲劑的電解液中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能,光電流密度達(dá)7.6mAcm-2,是其在Na2SO4電解液中光電流密度的5倍多,而且具有超高的穩(wěn)定性,光照100 h后光電流密度仍保留了初始值的82%。通過SEM測試發(fā)現(xiàn),... 

【文章頁數(shù)】：71 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
1 緒論
    1.1 研究背景及意義
    1.2 半導(dǎo)體基本特性及用途
        1.2.1 半導(dǎo)體的概念及特性
        1.2.2 半導(dǎo)體的能帶理論
        1.2.3 半導(dǎo)體的主要用途
    1.3 硫化鎘半導(dǎo)體光電化學(xué)性能的研究
        1.3.1 硫化鎘的特性
        1.3.2 硫化鎘光電催化分解水的研究進(jìn)展
        1.3.3 光電催化分解水的裝置組成及反應(yīng)機(jī)理
        1.3.4 光電催化分解水的要求
        1.3.5 影響光電催化效率的因素及改善方法
        1.3.6 半導(dǎo)體光電催化展望
    1.4 鈣鈦礦半導(dǎo)體光致發(fā)光性能的研究
        1.4.1 鈣鈦礦的特點及研究用途
        1.4.2 鈣鈦礦的合成方法
        1.4.3 圓偏振發(fā)光
        1.4.4 半導(dǎo)體光致發(fā)光的展望
    1.5 本論文選題思路及主要研究內(nèi)容
        1.5.1 本論文選題思路
        1.5.2 主要研究內(nèi)容
2 含肼的電解液對CdS NRs光電極的高穩(wěn)定作用
    2.1 引言
    2.2 實驗部分
        2.2.1 實驗試劑和設(shè)備
        2.2.2 樣品制備
        2.2.3 表征手段
    2.3 結(jié)果與討論
        2.3.1 樣品形貌
        2.3.2 樣品的組成和結(jié)構(gòu)分析
        2.3.3 光電催化性能的分析
        2.3.4 光電催化分解水制氫的反應(yīng)機(jī)理
    2.4 本章小結(jié)
3 制備新穎的Bi_2S_3/CdS納米片使其顯示高的光電催化性能
    3.1 引言
    3.2 實驗部分
        3.2.1 實驗試劑和設(shè)備
        3.2.2 樣品制備
        3.2.3 表征手段
    3.3 結(jié)果與討論
        3.3.1 樣品的結(jié)構(gòu)和組成
        3.3.2 形貌分析
        3.3.3 光電催化性能的分析
        3.3.4 分解水的反應(yīng)機(jī)理
    3.4 本章小結(jié)
4 手性分子與鈣鈦礦納米晶(CsPbX_3)組裝產(chǎn)生圓偏振發(fā)光
    4.1 引言
    4.2 實驗部分
        4.2.1 實驗試劑與設(shè)備
        4.2.2 樣品制備
        4.2.3 表征手段
    4.3 結(jié)果與討論
    4.4 本章小結(jié)
5 結(jié)論與展望
    5.1 主要結(jié)論
    5.2 研究展望
致謝
參考文獻(xiàn)
附錄 攻讀碩士期間的研究成果


【參考文獻(xiàn)】：
博士論文
[1]半導(dǎo)體基催化材料的制備及其光電催化性能研究[D]. 何輝超.重慶大學(xué) 2014

碩士論文
[1]CsMX3無機(jī)鈣鈦礦薄膜的制備及光電性能研究[D]. 夏偉.合肥工業(yè)大學(xué) 2017
[2]g-C3N4修飾半導(dǎo)體納米陣列的制備及其制氫性能研究[D]. 魏小亮.西安科技大學(xué) 2016



本文編號：3711266