作為射頻領(lǐng)域的研究熱點,功率器件LDMOS具有高耐壓、好的熱穩(wěn)性、以及便于和普通MOS工藝集成等方面的優(yōu)點。在器件小型化趨勢下,LDMOS常常引入應(yīng)變技術(shù)來提升性能,其中CESL應(yīng)變技術(shù)由于工藝簡單而常被使用。通常為了在溝道引入增強電子遷移率的張應(yīng)力,NLDMOS表面會淀積一層張應(yīng)變CESL,但這會在漂移區(qū)引入抑制電子遷移率的壓應(yīng)力。有研究通過在柵極區(qū)和漂移區(qū)分別選擇性地淀積張應(yīng)變和壓應(yīng)變CESL來解決這個問題,但這樣會使相關(guān)的工藝復(fù)雜化。有鑒于此,我們提出了一種基于槽型結(jié)構(gòu)的NLDMOS器件,同時選擇壓應(yīng)變CESL作為應(yīng)力源。槽型結(jié)構(gòu)會調(diào)制器件應(yīng)力分布,在溝道和漂移區(qū)同時實現(xiàn)張應(yīng)力,從而有效提升器件性能。首先我們利用Sentaurus仿真軟件研究了槽型結(jié)構(gòu)對NLDMOS溝道和漂移區(qū)應(yīng)力分布的影響。計算結(jié)果表明,在常規(guī)器件中,漂移區(qū)為張應(yīng)力但溝道區(qū)卻被引入了壓應(yīng)力。而在單槽器件中,由于槽型結(jié)構(gòu)的應(yīng)力調(diào)制作用,溝道應(yīng)力由壓應(yīng)力轉(zhuǎn)變?yōu)閺垜?yīng)力,同時漂移區(qū)的張應(yīng)力也得到了增強。我們還研究了槽型結(jié)構(gòu)對溝道和漂移區(qū)應(yīng)力的調(diào)制機理,并以之為基礎(chǔ)進(jìn)行了結(jié)構(gòu)優(yōu)化,發(fā)現(xiàn)器件對槽型結(jié)構(gòu)的深寬比沒有特殊要求。... 

【文章頁數(shù)】：57 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

器件表面的XX,YY和ZZ分量的應(yīng)力分布

（a）基于單槽結(jié)構(gòu)的LDMOS器件剖面圖；（b）常規(guī)LDMOS器件的剖面圖(每個器件中的CESL根據(jù)其位置分為三個部分)

僅源側(cè)CESL施加應(yīng)力下器件表面應(yīng)力分布

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]氮化硅薄膜力學(xué)性能的研究及其在射頻MEMS開關(guān)中的應(yīng)用[J]. 于映,吳清鑫,羅仲梓.  傳感技術(shù)學(xué)報. 2006(05)
[2]PECVD SiNx薄膜應(yīng)力的研究[J]. 趙永軍,王民娟,楊擁軍,梁春廣.  半導(dǎo)體學(xué)報. 1999(03)



本文編號：3662960