發(fā)布時間：2021-08-09 09:31

　　采用CGSim晶體生長軟件,對現有工業(yè)單晶爐中的加熱器位置進行優(yōu)化并分析了其對熱場、固液界面、晶體中溫度梯度和氧含量的影響。結果表明,隨加熱器的上移,功率消耗略有降低,熔體內的溫度梯度逐漸下降,在高堝位的生長條件下可以適當提升拉晶速率;同時,固液界面也趨于平坦,晶體中的溫度梯度有所減少,從而可以有效地抑制缺陷的形成。另外,晶體中的氧含量也有一定程度的下降�？梢缘贸�,在晶體等徑生長初期,提高加熱器的位置是降低晶體生長成本和提升晶體品質的途徑之一。 

【文章來源】：硅酸鹽通報. 2016,35(11)北大核心CSCD

【文章頁數】：6 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 模型建立與計算參數
3 結果與討論
    3.1 加熱器/坩堝相對位置對爐內溫度場的影響
    3.2 加熱器/坩堝相對位置對晶體品質的影響
4 結論


【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3331820