發(fā)布時間：2021-08-09 09:05

　　碳化硅（silicon carbide,Si C）器件作為一種寬禁帶半導體器件,具有耐高壓、高溫,導通電阻低等優(yōu)點。近20年來,Si C器件是國內外學術界和企業(yè)界的一大研究熱點,該文對近些年來不同Si C器件的發(fā)展進行分類梳理,介紹二極管、結型場效應晶體管、金氧半場效晶體管、絕緣柵雙極型晶體管及門極可斷晶閘管器件,并對比分析器件結構及參數性能,針對關鍵問題展開論述。最后,對SiC器件近年的發(fā)展進行總結和展望。 

【文章來源】：中國電機工程學報. 2020,40(06)北大核心EICSCD

【文章頁數】：13 頁

【部分圖文】：

SiC功率器件阻斷電壓與比導通電阻的關系比101103104105102阻斷電壓/VTMOSFETIGBTGTO

較遠，需通過生長缺陷密度更低的碳化硅外延材料以及開發(fā)成熟的增強壽命的工藝以滿足實際應用場合大電流的需求。在開關器件中，JFET器件較為特殊，一般使用USCi公司的級聯結構，其特性與MOSFET相類似，但驅動對開關速度等參數的控制能力削弱。MOSFET器風力發(fā)電電動汽車高鐵直流輸電服務器、電信設備電源現有碳化硅器件能滿足的應用范圍現有碳化硅器件還未能滿足的應用范圍101電流等級/A100104102103103104102電壓等級/V光伏逆變圖9SiC功率器件主要應用場合Fig.9MajorapplicationareasofSiCpowerdevices

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3331786