雷達發(fā)射機浮動板調(diào)制器與故障檢測電路的設(shè)計
發(fā)布時間:2021-07-09 22:56
提出了一種改進的浮動板調(diào)制器和對正負偏電壓的故障檢測電路,利用MOSFET寄生電容特性,通過固定脈寬窄脈沖控制調(diào)制脈寬,通過增加負偏MOSFET提高輸出負偏電壓。對故障檢測電路進行仿真實驗,通過模擬故障,驗證故障檢測報警信號發(fā)生時間均在微秒級別。完成樣機的搭建,利用多重方式解決高壓絕緣問題,并對其加電進行試驗驗證,分析實驗波形,證明此電路滿足設(shè)計要求并且具有可行性。
【文章來源】:電子器件. 2020,43(01)北大核心
【文章頁數(shù)】:5 頁
【部分圖文】:
雷達發(fā)射機浮動板調(diào)制器 和故障檢測電路組成框圖
根據(jù)此型號雷達發(fā)射機的基本特性,此調(diào)制器具體指標要求是:浮動板調(diào)制器輸出脈沖正偏壓幅值:+500 V;浮動板調(diào)制器輸出脈沖負偏壓幅值:-500 V;脈沖寬度:1 μs~20 μs連續(xù)可調(diào);重復(fù)頻率:1 kHz~20 kHz;前后沿:小于100 ns;驅(qū)動脈沖寬度:1 μs;驅(qū)動脈沖幅值:8 V;脈沖頂降:1%;陰極懸浮高壓電壓值:30 kV。2.2 調(diào)制器主電路分析
此調(diào)制器輸出的行波管柵極脈沖電壓的脈寬是VQ1和VQ2上升沿的間距寬度,并且其寬度可調(diào),如圖3所示。從圖中可以看出,在VQ1上升沿到來時JG1電壓升高,輸出正偏電壓,在VQ1結(jié)束后JG1的電壓值仍然保持正電壓值不變,直到VQ2上升沿到來,JG1下降變?yōu)樨撈妷?在VQ2電壓結(jié)束前JG1電壓值一直和負偏電壓相等,在VQ2結(jié)束后,由于分壓電阻R3的存在,JG1的電壓值略低于負片電壓值。調(diào)制器電路中的開啟管和截止管的選取需要滿足耐壓、耐流和開啟時間的要求,對于此型號的雷達發(fā)射機調(diào)制器,考慮其工作環(huán)境,選擇的MOSFET開關(guān)管VDS所能承受的電壓應(yīng)不小于1.5倍的Von+Voff[2],即1 500 V;開關(guān)管能承受的電流必須大于柵極的工作電流、柵極電容和分布電容的充放電電流和兩管瞬時共通電流的總和IDSmax[4],IDSmax較小,多數(shù)MOSFET均能滿足要求。選擇型號2SK4177的MOSFET,其漏源電壓為1 500 V,漏源電流為2 A,上升時間37 ns。
本文編號:3274649
【文章來源】:電子器件. 2020,43(01)北大核心
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【部分圖文】:
雷達發(fā)射機浮動板調(diào)制器 和故障檢測電路組成框圖
根據(jù)此型號雷達發(fā)射機的基本特性,此調(diào)制器具體指標要求是:浮動板調(diào)制器輸出脈沖正偏壓幅值:+500 V;浮動板調(diào)制器輸出脈沖負偏壓幅值:-500 V;脈沖寬度:1 μs~20 μs連續(xù)可調(diào);重復(fù)頻率:1 kHz~20 kHz;前后沿:小于100 ns;驅(qū)動脈沖寬度:1 μs;驅(qū)動脈沖幅值:8 V;脈沖頂降:1%;陰極懸浮高壓電壓值:30 kV。2.2 調(diào)制器主電路分析
此調(diào)制器輸出的行波管柵極脈沖電壓的脈寬是VQ1和VQ2上升沿的間距寬度,并且其寬度可調(diào),如圖3所示。從圖中可以看出,在VQ1上升沿到來時JG1電壓升高,輸出正偏電壓,在VQ1結(jié)束后JG1的電壓值仍然保持正電壓值不變,直到VQ2上升沿到來,JG1下降變?yōu)樨撈妷?在VQ2電壓結(jié)束前JG1電壓值一直和負偏電壓相等,在VQ2結(jié)束后,由于分壓電阻R3的存在,JG1的電壓值略低于負片電壓值。調(diào)制器電路中的開啟管和截止管的選取需要滿足耐壓、耐流和開啟時間的要求,對于此型號的雷達發(fā)射機調(diào)制器,考慮其工作環(huán)境,選擇的MOSFET開關(guān)管VDS所能承受的電壓應(yīng)不小于1.5倍的Von+Voff[2],即1 500 V;開關(guān)管能承受的電流必須大于柵極的工作電流、柵極電容和分布電容的充放電電流和兩管瞬時共通電流的總和IDSmax[4],IDSmax較小,多數(shù)MOSFET均能滿足要求。選擇型號2SK4177的MOSFET,其漏源電壓為1 500 V,漏源電流為2 A,上升時間37 ns。
本文編號:3274649
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