基于大數據的硅片形狀診斷與預報
發(fā)布時間:2021-07-09 20:59
半導體硅片是集成電路制造所需要關鍵襯底材料,在此領域數據分析備受關注,大數據日益廣泛的數據化時代,把大數據策略結合硅片加工制備的工程知識應用于實際的硅片生產制造的研究具有非常實際的應用價值。隨著集成電路技術的快速進步,對硅片的品質要求不斷提高,傳統(tǒng)生產經驗和單純的材料科學的工程知識已經不足以應對多因素交織和復雜多變的實際生產。在硅片品質分析和優(yōu)化品質方面,以數理統(tǒng)計為背景的數據分析技術逐漸地獲得認可,且越來越廣泛地應用于生產制造的各方面。隨著計算機和互聯(lián)網技術的飛速進步,數據分析技術在各領域得到應用。數據分析技術與各領域學科交叉形成一些新的學科分支。本文以半導體硅片為研究對象,主旨在于改進硅片的幾何參數品質,基于數據挖掘和機器學習策略,對硅片的幾何參數檢測原始數據(raw-data)進行挖掘和分析,在主體框架上可分為診斷和預報兩個部分:在診斷部分,主要是以硅片制造環(huán)節(jié)中的切割、研磨和酸腐蝕工位的異常品的形狀為分析對象,實現(xiàn)了異常品的自動化診斷;在預報部分,主要以酸腐蝕為研究對象,通過分析酸腐蝕剝離去除形狀的實驗數據,建立了酸腐蝕過程經驗模型并求解,在一定程度上可以預報不同工藝條件下酸腐...
【文章來源】:北京有色金屬研究總院北京市
【文章頁數】:70 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.2雙面研磨設備結構示意圖??
化學機械拋光也是利用平坦的圓盤向硅片施所指的化學機械拋光是半導體硅襯底制造當中的集成電路制造制備出鏡面化的表面。一般來說,拋坦度的幾何參數有改善的效果。按照貼片的機理。有蠟拋光顧名思義是利用蠟的黏性,使用特制附在特制的平板上,使表面得以平坦地鏡面化。硅片,利用水的虹吸原理使硅片貼在載具內[3M3]。取片不需要特別的裝備,甚至可以手工實現(xiàn),且,所以效率和成本上優(yōu)于有蠟拋光。但無蠟拋光,故而平整度相對較差;有蠟拋光中,硅片與平坦面支撐,故此在平坦度方面有優(yōu)勢。硅片尺寸上局平整度和局部平整度的技術規(guī)格要求,一般裝置原理示意圖[34]。??
內的坐標、相應坐標點上硅片的厚度、平坦度、局部翹曲等數據信息[41]。在獲得了逐??點掃描數據(raw?data)之后,檢測設備會根據行業(yè)標準規(guī)定算法利用raw?data計算??硅片各項幾何參數的數據,例如厚度、TTV、TIR、Bow、Warp等。圖1.4是檢測設??備對硅片進行轉掃檢測時的采點位置:??100??E?50??〇??’?-5〇??-loot????—?—??-100?-50?0?50?100??along?X?direction?(mm)??圖1.4測量系統(tǒng)轉掃采點位置??目前硅片制造環(huán)節(jié),主要利用硅片的厚度、TTV、Bow、Wap等計算結果作為品??質檢驗和合格率考察的數值依據。鑒于同樣品質指標的硅片,其形狀可能是不同的,??6??
【參考文獻】:
期刊論文
[1]基于工業(yè)大數據的晶圓制造系統(tǒng)加工周期預測方法[J]. 朱雪初,喬非. 計算機集成制造系統(tǒng). 2017(10)
[2]基于大數據分析的半導體工藝的良率提升研究[J]. 陸健,楊冬琴,黃倩露,王強,趙蘇華. 南通大學學報(自然科學版). 2016(04)
[3]基于數據挖掘的晶圓制造交貨期預測方法[J]. 汪俊亮,秦威,張潔. 中國機械工程. 2016(01)
[4]高斯過程回歸方法綜述[J]. 何志昆,劉光斌,趙曦晶,王明昊. 控制與決策. 2013(08)
[5]微腐蝕去除硅襯底表面損傷及污染物研究[J]. 田巧偉,檀柏梅,高寶紅,黃妍妍,劉楠,蘇偉東. 微納電子技術. 2012(12)
[6]KOH各向異性腐蝕中預處理對硅表面粗糙度的影響[J]. 夏偉鋒,馮飛,王權,熊斌,戈肖鴻. 半導體光電. 2010(04)
[7]高斯過程響應面法研究[J]. 劉信恩,肖世富,莫軍. 應用力學學報. 2010(01)
[8]多線切割工藝中切割線直徑對翹曲度影響的研究[J]. 李保軍,馮濤. 電子工業(yè)專用設備. 2009(08)
[9]多線切割機磨削熱的不良影響及消除[J]. 王廣峰. 電子工業(yè)專用設備. 2009(05)
[10]多線切割工藝中晶片翹曲度的控制[J]. 林健. 半導體技術. 2009(04)
碩士論文
[1]大尺寸硅片拋光前道工序對拋光效果的影響研究[D]. 鐘耕杭.北京有色金屬研究總院 2017
[2]硅片在HF/HNO3/H2O體系中酸腐蝕的研究[D]. 安靜.上海交通大學 2008
本文編號:3274489
【文章來源】:北京有色金屬研究總院北京市
【文章頁數】:70 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.2雙面研磨設備結構示意圖??
化學機械拋光也是利用平坦的圓盤向硅片施所指的化學機械拋光是半導體硅襯底制造當中的集成電路制造制備出鏡面化的表面。一般來說,拋坦度的幾何參數有改善的效果。按照貼片的機理。有蠟拋光顧名思義是利用蠟的黏性,使用特制附在特制的平板上,使表面得以平坦地鏡面化。硅片,利用水的虹吸原理使硅片貼在載具內[3M3]。取片不需要特別的裝備,甚至可以手工實現(xiàn),且,所以效率和成本上優(yōu)于有蠟拋光。但無蠟拋光,故而平整度相對較差;有蠟拋光中,硅片與平坦面支撐,故此在平坦度方面有優(yōu)勢。硅片尺寸上局平整度和局部平整度的技術規(guī)格要求,一般裝置原理示意圖[34]。??
內的坐標、相應坐標點上硅片的厚度、平坦度、局部翹曲等數據信息[41]。在獲得了逐??點掃描數據(raw?data)之后,檢測設備會根據行業(yè)標準規(guī)定算法利用raw?data計算??硅片各項幾何參數的數據,例如厚度、TTV、TIR、Bow、Warp等。圖1.4是檢測設??備對硅片進行轉掃檢測時的采點位置:??100??E?50??〇??’?-5〇??-loot????—?—??-100?-50?0?50?100??along?X?direction?(mm)??圖1.4測量系統(tǒng)轉掃采點位置??目前硅片制造環(huán)節(jié),主要利用硅片的厚度、TTV、Bow、Wap等計算結果作為品??質檢驗和合格率考察的數值依據。鑒于同樣品質指標的硅片,其形狀可能是不同的,??6??
【參考文獻】:
期刊論文
[1]基于工業(yè)大數據的晶圓制造系統(tǒng)加工周期預測方法[J]. 朱雪初,喬非. 計算機集成制造系統(tǒng). 2017(10)
[2]基于大數據分析的半導體工藝的良率提升研究[J]. 陸健,楊冬琴,黃倩露,王強,趙蘇華. 南通大學學報(自然科學版). 2016(04)
[3]基于數據挖掘的晶圓制造交貨期預測方法[J]. 汪俊亮,秦威,張潔. 中國機械工程. 2016(01)
[4]高斯過程回歸方法綜述[J]. 何志昆,劉光斌,趙曦晶,王明昊. 控制與決策. 2013(08)
[5]微腐蝕去除硅襯底表面損傷及污染物研究[J]. 田巧偉,檀柏梅,高寶紅,黃妍妍,劉楠,蘇偉東. 微納電子技術. 2012(12)
[6]KOH各向異性腐蝕中預處理對硅表面粗糙度的影響[J]. 夏偉鋒,馮飛,王權,熊斌,戈肖鴻. 半導體光電. 2010(04)
[7]高斯過程響應面法研究[J]. 劉信恩,肖世富,莫軍. 應用力學學報. 2010(01)
[8]多線切割工藝中切割線直徑對翹曲度影響的研究[J]. 李保軍,馮濤. 電子工業(yè)專用設備. 2009(08)
[9]多線切割機磨削熱的不良影響及消除[J]. 王廣峰. 電子工業(yè)專用設備. 2009(05)
[10]多線切割工藝中晶片翹曲度的控制[J]. 林健. 半導體技術. 2009(04)
碩士論文
[1]大尺寸硅片拋光前道工序對拋光效果的影響研究[D]. 鐘耕杭.北京有色金屬研究總院 2017
[2]硅片在HF/HNO3/H2O體系中酸腐蝕的研究[D]. 安靜.上海交通大學 2008
本文編號:3274489
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