新型絕緣柵型光電導開關(guān)的器件設(shè)計與優(yōu)化
發(fā)布時間:2021-04-25 19:10
光電導開關(guān)因其高耐壓、高功率、響應(yīng)快及工作不受電磁干擾等優(yōu)良特性,在功率器件與超快器件里備受關(guān)注,使其在高功率超寬帶脈沖產(chǎn)生領(lǐng)域和超快電子學等學科領(lǐng)域中有著廣闊的發(fā)展前景,有潛力成為脈沖產(chǎn)生系統(tǒng)中的核心部件。本文分析了光電導開關(guān)的國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀及目前實用化進程中存在的問題,在分析對比第一代半導體Si和第二代半導體GaAs等不同半導體材料的物理特性后,選取摻鐵半絕緣氮化鎵襯底作為器件的襯底材料,設(shè)計耐壓能力為10kV且能用532nm激光觸發(fā)的氮化鎵光電導開關(guān)。當前傳統(tǒng)縱向結(jié)構(gòu)氮化鎵光電導開關(guān)的擊穿場強遠小于本征禁帶寬度對應(yīng)的理論值,本文分析其原因后,首先提出了垂直雙擴散絕緣柵型光電導開關(guān)結(jié)構(gòu)—在光電導開關(guān)傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上增加垂直雙擴散場效應(yīng)晶體管元胞陣列,即引入了一個可由柵壓控制的反向pn結(jié),不僅利用空間電荷區(qū)對半絕緣GaN:Fe內(nèi)載流子的驅(qū)逐作用降低高壓漏電流,而且基于柵極快速開通特性該pn結(jié)的電壓可以動態(tài)轉(zhuǎn)移給光觸發(fā)區(qū),并將所提出新型器件結(jié)構(gòu)在Silvaco平臺中進行建模仿真。然后逐一分析了器件的靜態(tài)特性、動態(tài)特性及光電流的輸出特性。建模仿真結(jié)果證明,與傳統(tǒng)型相比,垂直雙擴散絕緣柵型光...
【文章來源】:西安理工大學陜西省
【文章頁數(shù)】:61 頁
【學位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
abstract
1 緒論
1.1 光電導開關(guān)器件簡介
1.2 光電導開關(guān)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
1.3 寬禁帶功率器件國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀
1.4 本文研究內(nèi)容與意義
2 VDIG-PCSS結(jié)構(gòu)設(shè)計與建模
2.1 結(jié)構(gòu)設(shè)計與工作原理
2.2 器件仿真工具
2.2.1 Silvaco TCAD簡介
2.2.2 Devedit模塊
2.2.3 Atlas模塊
2.3 VDIG-PCSS器件建模
2.3.1 選取物理模型
2.3.2 器件模型
2.4 本章小節(jié)
3 VDIG-PCSS靜態(tài)特性仿真與結(jié)果分析
3.1 靜態(tài)特性分析
3.2 靜態(tài)參數(shù)優(yōu)化
3.2.1 橫向變摻雜作用驗證
3.2.2 外延層的參數(shù)優(yōu)化
3.3 本章小節(jié)
4 VDIG-PCSS動態(tài)特性仿真與結(jié)果分析
4.1 動態(tài)分壓特性
4.2 光電流的輸出特性
4.3 本章小節(jié)
5 測試系統(tǒng)的設(shè)計與可行性驗證
5.1 GaN:Fe電阻率與擊穿場強實測
5.2 527nm激光觸發(fā)GaN:Fe開關(guān)實驗
5.3 測試電路系統(tǒng)設(shè)計與可行性驗證
5.4 本章小節(jié)
6 總結(jié)與展望
6.1 本文研究工作總結(jié)
6.2 未來工作展望
致謝
參考文獻
附錄
【參考文獻】:
期刊論文
[1]一種900 V JTE結(jié)構(gòu)VDMOS終端設(shè)計[J]. 石存明,馮全源,陳曉培. 微電子學與計算機. 2016(04)
[2]摻Fe高阻GaN緩沖層特性及其對AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件的影響研究[J]. 王凱,邢艷輝,韓軍,趙康康,郭立建,于保寧,鄧旭光,范亞明,張寶順. 物理學報. 2016(01)
[3]VDMOS結(jié)終端技術(shù)對比研究[J]. 趙圣哲,李理,趙文魁. 半導體技術(shù). 2016(01)
[4]2012年IEEE國際功率半導體器件(電力電子器件)及功率集成電路會議綜述[J]. 胡冬青. 電力電子. 2012(05)
[5]不同形狀的光斑觸發(fā)砷化鎵光導開關(guān)[J]. 袁建強,劉宏偉,劉金鋒,李洪濤,謝衛(wèi)平,王新新,江偉華. 強激光與粒子束. 2010(03)
[6]50kV半絕緣GaAs光導開關(guān)[J]. 袁建強,劉宏偉,劉金鋒,李洪濤,謝衛(wèi)平,王新新,江偉華. 強激光與粒子束. 2009(05)
[7]影響超快光電導開關(guān)關(guān)斷特性的主次因素[J]. 王馨梅,施衛(wèi). 西安理工大學學報. 2008(04)
[8]非線性GaAs光電導開關(guān)的瞬態(tài)特性分析(英文)[J]. 王馨梅,施衛(wèi),屈光輝,田立強. 半導體學報. 2008(06)
[9]超快大功率SiC光導開關(guān)的研究[J]. 嚴成鋒,施爾畏,陳之戰(zhàn),李祥彪,肖兵. 無機材料學報. 2008(03)
[10]功率半導體器件的場限環(huán)研究[J]. 遇寒,沈克強. 電子器件. 2007(01)
博士論文
[1]氮化鎵基半導體電力電子器件擊穿機理研究[D]. 趙勝雷.西安電子科技大學 2015
碩士論文
[1]硅基GaN功率MISFET新結(jié)構(gòu)研究[D]. 王澤恒.電子科技大學 2017
[2]VDMOS器件的自熱效應(yīng)及高溫熱載流子效應(yīng)的研究[D]. 儲曉磊.安徽大學 2016
[3]700V功率VDMOS設(shè)計[D]. 干紅林.西南交通大學 2015
[4]高壓VDMOS閾值電壓的工藝優(yōu)化[D]. 洪春雷.電子科技大學 2014
[5]600V功率VD-MOSFET器件仿真[D]. 謝承飛.大連理工大學 2013
[6]SiC VDMOS器件結(jié)構(gòu)設(shè)計及界面陷阱效應(yīng)研究[D]. 高云斌.電子科技大學 2013
[7]功率VDMOS器件的低溫可靠性研究[D]. 郭玉龍.西安電子科技大學 2013
[8]基于SILVACO模擬的100V VDMOSFET研究和設(shè)計[D]. 宮在君.遼寧大學 2011
[9]基于VDMOS結(jié)構(gòu)參數(shù)的TCAD模擬研究[D]. 王玲.哈爾濱理工大學 2011
[10]功率VDMOS器件結(jié)構(gòu)與優(yōu)化設(shè)計研究[D]. 王蓉.西安電子科技大學 2010
本文編號:3159934
【文章來源】:西安理工大學陜西省
【文章頁數(shù)】:61 頁
【學位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
abstract
1 緒論
1.1 光電導開關(guān)器件簡介
1.2 光電導開關(guān)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
1.3 寬禁帶功率器件國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀
1.4 本文研究內(nèi)容與意義
2 VDIG-PCSS結(jié)構(gòu)設(shè)計與建模
2.1 結(jié)構(gòu)設(shè)計與工作原理
2.2 器件仿真工具
2.2.1 Silvaco TCAD簡介
2.2.2 Devedit模塊
2.2.3 Atlas模塊
2.3 VDIG-PCSS器件建模
2.3.1 選取物理模型
2.3.2 器件模型
2.4 本章小節(jié)
3 VDIG-PCSS靜態(tài)特性仿真與結(jié)果分析
3.1 靜態(tài)特性分析
3.2 靜態(tài)參數(shù)優(yōu)化
3.2.1 橫向變摻雜作用驗證
3.2.2 外延層的參數(shù)優(yōu)化
3.3 本章小節(jié)
4 VDIG-PCSS動態(tài)特性仿真與結(jié)果分析
4.1 動態(tài)分壓特性
4.2 光電流的輸出特性
4.3 本章小節(jié)
5 測試系統(tǒng)的設(shè)計與可行性驗證
5.1 GaN:Fe電阻率與擊穿場強實測
5.2 527nm激光觸發(fā)GaN:Fe開關(guān)實驗
5.3 測試電路系統(tǒng)設(shè)計與可行性驗證
5.4 本章小節(jié)
6 總結(jié)與展望
6.1 本文研究工作總結(jié)
6.2 未來工作展望
致謝
參考文獻
附錄
【參考文獻】:
期刊論文
[1]一種900 V JTE結(jié)構(gòu)VDMOS終端設(shè)計[J]. 石存明,馮全源,陳曉培. 微電子學與計算機. 2016(04)
[2]摻Fe高阻GaN緩沖層特性及其對AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件的影響研究[J]. 王凱,邢艷輝,韓軍,趙康康,郭立建,于保寧,鄧旭光,范亞明,張寶順. 物理學報. 2016(01)
[3]VDMOS結(jié)終端技術(shù)對比研究[J]. 趙圣哲,李理,趙文魁. 半導體技術(shù). 2016(01)
[4]2012年IEEE國際功率半導體器件(電力電子器件)及功率集成電路會議綜述[J]. 胡冬青. 電力電子. 2012(05)
[5]不同形狀的光斑觸發(fā)砷化鎵光導開關(guān)[J]. 袁建強,劉宏偉,劉金鋒,李洪濤,謝衛(wèi)平,王新新,江偉華. 強激光與粒子束. 2010(03)
[6]50kV半絕緣GaAs光導開關(guān)[J]. 袁建強,劉宏偉,劉金鋒,李洪濤,謝衛(wèi)平,王新新,江偉華. 強激光與粒子束. 2009(05)
[7]影響超快光電導開關(guān)關(guān)斷特性的主次因素[J]. 王馨梅,施衛(wèi). 西安理工大學學報. 2008(04)
[8]非線性GaAs光電導開關(guān)的瞬態(tài)特性分析(英文)[J]. 王馨梅,施衛(wèi),屈光輝,田立強. 半導體學報. 2008(06)
[9]超快大功率SiC光導開關(guān)的研究[J]. 嚴成鋒,施爾畏,陳之戰(zhàn),李祥彪,肖兵. 無機材料學報. 2008(03)
[10]功率半導體器件的場限環(huán)研究[J]. 遇寒,沈克強. 電子器件. 2007(01)
博士論文
[1]氮化鎵基半導體電力電子器件擊穿機理研究[D]. 趙勝雷.西安電子科技大學 2015
碩士論文
[1]硅基GaN功率MISFET新結(jié)構(gòu)研究[D]. 王澤恒.電子科技大學 2017
[2]VDMOS器件的自熱效應(yīng)及高溫熱載流子效應(yīng)的研究[D]. 儲曉磊.安徽大學 2016
[3]700V功率VDMOS設(shè)計[D]. 干紅林.西南交通大學 2015
[4]高壓VDMOS閾值電壓的工藝優(yōu)化[D]. 洪春雷.電子科技大學 2014
[5]600V功率VD-MOSFET器件仿真[D]. 謝承飛.大連理工大學 2013
[6]SiC VDMOS器件結(jié)構(gòu)設(shè)計及界面陷阱效應(yīng)研究[D]. 高云斌.電子科技大學 2013
[7]功率VDMOS器件的低溫可靠性研究[D]. 郭玉龍.西安電子科技大學 2013
[8]基于SILVACO模擬的100V VDMOSFET研究和設(shè)計[D]. 宮在君.遼寧大學 2011
[9]基于VDMOS結(jié)構(gòu)參數(shù)的TCAD模擬研究[D]. 王玲.哈爾濱理工大學 2011
[10]功率VDMOS器件結(jié)構(gòu)與優(yōu)化設(shè)計研究[D]. 王蓉.西安電子科技大學 2010
本文編號:3159934
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