綜述了石墨烯/氮化硼面內(nèi)異質(zhì)結(jié)和范德華異質(zhì)結(jié)的制備方法及優(yōu)缺點(diǎn),概括了石墨烯/氮化硼異質(zhì)結(jié)在場(chǎng)效應(yīng)晶體管、電化學(xué)催化以及熱電器件領(lǐng)域的應(yīng)用,預(yù)測(cè)了其在光電子和運(yùn)算存儲(chǔ)器件方向的廣闊應(yīng)用前景。 

【文章來(lái)源】：現(xiàn)代化工. 2020,40(01)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：4 頁(yè)

【部分圖文】：

Graphene/h-BN范德華異質(zhì)結(jié)的機(jī)械轉(zhuǎn)移法制備過(guò)程

Driver等[23]通過(guò)分子束外延法(molecular beam epitaxy,MBE)成功在h-BN(0001)表面上生長(zhǎng)了石墨烯，為Graphene/h-BN異質(zhì)結(jié)的制備提供了新途徑。利用分子束外延法可嚴(yán)格控制生長(zhǎng)速率，制備大尺度、高質(zhì)量的異質(zhì)結(jié)[17]，而且能控制Graphene/h-BN異質(zhì)結(jié)垂直結(jié)構(gòu)中石墨烯與h-BN的失配角小于1°[24]。缺點(diǎn)在于合成速度慢，限制了異質(zhì)結(jié)的大量生產(chǎn)。一般分子束外延法制備步驟如圖2所示[18]。2 Graphene/h-BN異質(zhì)結(jié)應(yīng)用

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]石墨烯基二維垂直異質(zhì)結(jié)的制備及光電子器件[J]. 戴明金,高峰,楊慧慧,胡云霞,胡平安.  材料科學(xué)與工藝. 2017(03)
[2]石墨烯-六方氮化硼面內(nèi)異質(zhì)結(jié)構(gòu)的掃描隧道顯微學(xué)研究[J]. 劉夢(mèng)溪,張艷鋒,劉忠范.  物理學(xué)報(bào). 2015(07)



本文編號(hào)：3096462