在全球功率半導(dǎo)體市場日新月異的今天,VDMOS始終是功率器件最主要的產(chǎn)品類別之一。對于高壓VDMOS,良好的終端結(jié)構(gòu)是實現(xiàn)高耐壓的保障。耐壓越高,所需的終端區(qū)面積也越大,造成器件成本的上升。橫向變摻雜（Variation Lateral Doping,VLD）終端具有面積小,耐壓高的特點,相比常見的場限環(huán)結(jié)構(gòu),有更高的芯片利用率,是常用于高壓VDMOS的終端結(jié)構(gòu)之一。但是文獻中對于VLD終端設(shè)計方法的研究非常少�；诖�,本文對VLD終端進行優(yōu)化和設(shè)計研究,提出了針對高壓VDMOS VLD終端設(shè)計的普適方法,并取得良好的效果。文章的主要內(nèi)容如下:1、通過理論分析和公式推導(dǎo),首次提出了兩種VLD終端雜質(zhì)濃度分布的優(yōu)化模型,并給出了兩種優(yōu)化模型的掩膜版具體設(shè)計方法。通過仿真驗證了利用兩種優(yōu)化方法設(shè)計出的VLD終端和現(xiàn)有方法相比均可達到更好的耐壓效果。同時考慮到版圖設(shè)計中終端倒角區(qū)的曲率效應(yīng)可能對耐壓帶來的影響,對VLD終端在終端倒角處的版圖設(shè)計提出了改進方法。分別從終端結(jié)構(gòu)和版圖上為VLD終端的設(shè)計和研究提供了理論指導(dǎo)。2、通過Tsuprem4/MEDICI仿真軟件和L-Edit版圖軟件設(shè)計... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：82 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

卷軸型場板示意圖[26]

不同δ下掩膜版注入窗口寬

電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文28著δ的減小，BV先增大后減校當(dāng)δ=0.4時，為常規(guī)線性分布方法設(shè)計出的VLD終端，此時終端耐壓為636V；當(dāng)δ=0.25時，VLD終端耐壓達到最大值為671V，優(yōu)化后線性分布的擊穿電壓相比于常規(guī)線性分布提高了35V，可以達到平行平面結(jié)理想耐壓的98%。表3-3800V線性分布VLD終端不同δ下注入窗口寬度變化值窗口編號n注入窗口δ寬度(μm)1234567891011120.4154.594.183.773.462.962.542.131.721.310.90.490.3554.654.33.953.63.252.92.552.21.851.51.150.2554.754.54.2543.753.53.2532.752.52.250.1554.854.74.554.44.254.13.953.83.653.53.350.0554.954.94.854.84.754.74.654.64.554.54.45(a)(b)圖3-3不同δ下掩膜版注入窗口寬度變化趨勢。(a)600V；(b)800V圖3-4600VVLD終端BV與遞減量δ關(guān)系圖

【參考文獻】：
期刊論文
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碩士論文
[1]600V高雪崩耐量平面柵VDMOS器件優(yōu)化設(shè)計[D]. 程詩康.電子科技大學(xué) 2017
[2]一種具有VLD終端結(jié)構(gòu)的600V VDMOS設(shè)計[D]. 許高潮.電子科技大學(xué) 2015



本文編號：3096303