高速永磁同步電機(jī)（HSPMSM）具有功率密度大、控制精度高、體積小等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于高速空氣壓縮機(jī)等諸多場(chǎng)合。然而,由于定子電感小、電流基波頻率高的特點(diǎn),HSPMSM在驅(qū)動(dòng)控制過程存在相電流諧波含量高、交叉耦合和數(shù)字延時(shí)影響加重的問題。論文以Si C MOSFET驅(qū)動(dòng)器為基礎(chǔ),研究HSPMSM驅(qū)動(dòng)控制技術(shù),能夠有效抑制和解決上述問題。首先,以d-q坐標(biāo)系下HSPMSM數(shù)學(xué)模型為基礎(chǔ),建立電機(jī)復(fù)矢量模型,推導(dǎo)考慮交叉耦合和數(shù)字延時(shí)的電流環(huán)精確模型,為后文電流環(huán)穩(wěn)定性分析奠定理論基礎(chǔ);對(duì)Si C MOSFET的開通過程和關(guān)斷過程分別建模,為下文Si C MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究提供理論指導(dǎo)。其次,研究Si C MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中相關(guān)問題,并提出解決方案。以Si C MOSFET開關(guān)過程數(shù)學(xué)模型為理論依據(jù),以SIMetrix仿真為分析工具,對(duì)Si C MOSFET的驅(qū)動(dòng)參數(shù)、漏源極過電壓及振蕩問題、柵極串?dāng)_問題進(jìn)行分析,并提出調(diào)整驅(qū)動(dòng)參數(shù)、并聯(lián)吸收電容和添加密勒鉗位的優(yōu)化方案。然后,結(jié)合交叉耦合和數(shù)字延時(shí)問題,研究HSPMSM的電流環(huán)穩(wěn)定性并對(duì)電流調(diào)節(jié)器進(jìn)行設(shè)計(jì)。通過FFT分析證明了... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：120 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

電流采樣電路

母線電壓采樣電路

驅(qū)動(dòng)主電路原理圖


本文編號(hào)：3083767