在實(shí)踐中準(zhǔn)確地測定和表征出MOS器件樣管的開啟電壓,對于大規(guī)模集成電路的設(shè)計(jì)以及將MOS器件作為分立器件的在電路應(yīng)用,均是至關(guān)重要的。文章采用貝葉斯統(tǒng)計(jì)推斷工具用于器件輸入曲線的處理,從中提取出與器件開啟有關(guān)的更為精準(zhǔn)和深入的信息。建立合適的分層模型,應(yīng)用基于馬爾科夫鏈蒙特卡羅（MCMC）算法的最大后驗(yàn)估計(jì)（MAP）,求取目標(biāo)量的后驗(yàn)分布。這類算法為目前概率與統(tǒng)計(jì)領(lǐng)域的最高級算法。將該先進(jìn)算法引入到IC領(lǐng)域來分析處理所獲取的大數(shù)據(jù)是后摩爾時(shí)代的一個(gè)發(fā)展方向。 

【文章來源】：微電子學(xué). 2020,50(05)北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

【部分圖文】：

MOS器件的Ids-Vgs曲線

使用MAP函數(shù)對數(shù)據(jù)點(diǎn)進(jìn)行線性擬合的曲線


本文編號：2989895