本文選題：釓鋁鋅氧　切入點(diǎn)：薄膜晶體管　出處：《液晶與顯示》2017年05期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：本文研究并制備了釓鋁鋅氧薄膜和以釓鋁鋅氧為有源層的薄膜晶體管。釓鋁鋅氧薄膜材料的光致發(fā)光光譜和透過率說明釓鋁鋅氧薄膜在透明顯示方向的應(yīng)用潛力。透射電子顯微鏡揭示了釓鋁鋅氧薄膜的非晶態(tài)微觀結(jié)構(gòu)。釓鋁鋅氧薄膜晶體管顯示了良好的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性。器件開關(guān)比大于10~5、飽和遷移率約為10cm~2·V~(-1)·s~(-1)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,釓鋁鋅氧薄膜可用作氧化物薄膜晶體管的有源層材料;釓鋁鋅氧薄膜晶體管可作為像素電路的驅(qū)動(dòng)器件。
[Abstract]:In this paper, gadolinium aluminium-zinc oxide thin films and thin film transistors with gadolinium aluminum-zinc oxide as active layer have been studied and fabricated. The photoluminescence spectra and transmittance of gadolinium aluminum-zinc oxide thin films show the potential application of gadolinium aluminum-zinc oxide thin films in transparent display direction. The amorphous microstructure of gadolinium aluminum-zinc oxide thin film was revealed by transmission electron microscope. The gadolinium aluminum zinc oxide thin film transistor showed good transfer and output characteristics. The switch ratio of the device was greater than 10 ~ 5, and the saturation mobility was about 10 cm ~ (2) 路V ~ (-1) 路szn ~ (-1) 路szn ~ (-1). Gadolinium aluminum zinc oxide thin film can be used as active layer material of oxide thin film transistor and gadolinium aluminum zinc oxide thin film transistor can be used as driver of pixel circuit.
【作者單位】： 北京大學(xué)微電子學(xué)研究院;北京大學(xué)深圳研究生院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(No.61275025)~~
【分類號(hào)】：TN321.5

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本文編號(hào)：1603979