本文關(guān)鍵詞： 雙勢(shì)壘量子點(diǎn) CCD 光電響應(yīng) CTIA讀出電路 低溫測(cè)試　出處：《華東師范大學(xué)》2015年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

【摘要】：上世紀(jì)末至今,量子點(diǎn)光電探測(cè)器(Quantum dot photodetector, QDP)技術(shù)取得了長(zhǎng)足的發(fā)展。與其它光電探測(cè)技術(shù)相比,Ⅲ-Ⅴ族化合物材料量子點(diǎn)光電探測(cè)器具有工藝成熟、熱穩(wěn)定性好、多色探測(cè)和均勻性高等優(yōu)勢(shì)。論文針對(duì)高靈敏、寬動(dòng)態(tài)范圍和良好光電存儲(chǔ)特性的InGaAs/GaAs雙勢(shì)壘量子點(diǎn)光電器件,進(jìn)行CCD讀出研究。具體研究?jī)?nèi)容有：1、InGaAs量子點(diǎn)光電探測(cè)器的電荷轉(zhuǎn)移讀出。2、64元雙勢(shì)壘量子點(diǎn)光電探測(cè)器和CTIA讀出電路對(duì)接線列的光電響應(yīng)。3、應(yīng)用氦氣循環(huán)制冷技術(shù),驗(yàn)證了讀出電路芯片能在45K的低溫環(huán)境下工作。
[Abstract]:Since the end of last century, quantum dot photodetectors (QDPs) have made great progress compared with other photodetectors. The quantum dot photodetectors of class 鈪，

本文編號(hào)：1490915