本文關(guān)鍵詞：非對(duì)稱超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)和仿真　出處：《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》2017年07期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： SJ-MOSFET 非對(duì)稱 漂移區(qū) 橫向電場(chǎng)

【摘要】：為了克服傳統(tǒng)功率MOSFET通態(tài)電阻和擊穿電壓之間的矛盾,引入了超級(jí)結(jié)(SJ)器件,通過引入橫向電場(chǎng)來提高擊穿電壓.針對(duì)工藝中非對(duì)稱pillar的設(shè)計(jì)需求,建立了非對(duì)稱的研究分析模型,通過引入影響設(shè)計(jì)的非對(duì)稱因子k,分析了k的物理意義和修正了不同pillar比例下的k值來設(shè)計(jì)相關(guān)參數(shù),推導(dǎo)出超結(jié)的設(shè)計(jì)解析表達(dá)式.為了驗(yàn)證設(shè)計(jì)的準(zhǔn)確性,以溝槽柵SJ-MOSFET為器件,進(jìn)行了仿真驗(yàn)證和比較,理論與仿真結(jié)果符合良好,可以用于超結(jié)MOSFET的設(shè)計(jì)指導(dǎo).
[Abstract]:In order to overcome the contradiction between on-state resistance and breakdown voltage of traditional power MOSFET, the superjunction SJ device is introduced. In order to improve the breakdown voltage by introducing transverse electric field, an asymmetric research and analysis model was established to meet the design requirements of asymmetric pillar in the process, and an asymmetric factor k was introduced to influence the design. The physical meaning of k is analyzed and the K value of different pillar ratio is modified to design the relevant parameters. The analytical expression of the design of the superjunction is derived to verify the accuracy of the design. The simulation results of grooved gate SJ-MOSFET are verified and compared. The theoretical and simulation results are in good agreement with each other and can be used to guide the design of superjunction MOSFET.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;江蘇物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心;
【基金】：國(guó)家重大科技專項(xiàng)(2013ZX02305-005-002) 國(guó)家自然科學(xué)基金(51490681) 省院合作高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化專項(xiàng)資金項(xiàng)目(2016SYHZ0026)
【分類號(hào)】：TN386
【正文快照】： 1引言功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal oxide semiconductorfield effect transistor-MOSFET)是功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域中最為重要的器件之一,傳統(tǒng)的功率MOSFET器件,尤其是垂直雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Verticaldouble diffusion metal oxide semiconductor-VD-MOS)器件,一般是通過增加外延層厚

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