本文關(guān)鍵詞：基于四值脈沖參數(shù)模型的單粒子瞬態(tài)傳播機(jī)理與軟錯(cuò)誤率分析方法　出處：《電子與信息學(xué)報(bào)》2016年08期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：隨著工藝尺寸的不斷縮小,由單粒子瞬態(tài)(Single Event Transient,SET)效應(yīng)引起的軟錯(cuò)誤已經(jīng)成為影響宇航用深亞微米VLSI電路可靠性的主要威脅,而SET脈沖的產(chǎn)生和傳播也成為電路軟錯(cuò)誤研究的熱點(diǎn)問題。通過研究SET脈沖在邏輯鏈路中的傳播發(fā)現(xiàn):脈沖上升時(shí)間和下降時(shí)間的差異能夠引起輸出脈沖寬度的展寬或衰減;脈沖的寬度和幅度可決定其是否會被門的電氣效應(yīng)所屏蔽。該文提出一種四值脈沖參數(shù)模型可準(zhǔn)確模擬SET脈沖形狀,并采用結(jié)合查找表和經(jīng)驗(yàn)公式的方法來模擬SET脈沖在電路中的傳播過程。該文提出的四值脈沖參數(shù)模型可模擬SET脈沖在傳播過程中的展寬和衰減效應(yīng),與單參數(shù)脈沖模型相比計(jì)算精度提高了2.4%。該文應(yīng)用基于圖的故障傳播概率算法模擬SET脈沖傳播過程中的邏輯屏蔽,可快速計(jì)算電路的軟錯(cuò)誤率。對ISCAS’89及ISCAS’85電路進(jìn)行分析的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:該方法與HSPICE仿真方法的平均偏差為4.12%,計(jì)算速度提升10000倍。該文方法可對大規(guī)模集成電路的軟錯(cuò)誤率進(jìn)行快速分析。
【作者單位】： 中國科學(xué)院電子學(xué)研究所;中國科學(xué)院大學(xué);
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61271149) 國家科技重大專項(xiàng)資助(2013ZX03006004)~~
【分類號】：TN47
【正文快照】： (中國科學(xué)院大學(xué)北京100049)1引言當(dāng)空間環(huán)境中的高能粒子擊中電子器件中處于敏感狀態(tài)(OFF狀態(tài))晶體管漏區(qū),沿入射通路產(chǎn)生大量的電子、空穴對。在漏極和襯底之間電場的作用下,空穴被壓向襯底,電子被漏極吸收,沿著入射通路產(chǎn)生一個(gè)由漏極流向襯底的電流脈沖,從而在晶體管的輸

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本文編號：1312842