本文關鍵詞：外加條件對量子點紅外探測器暗電流特性的影響

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【摘要】：考慮微米尺度和納米尺度下電子傳輸對激發(fā)能的共同影響,基于電子漂移速度對外加電場的依賴,研究外加電場和外加溫度對量子點紅外探測器暗電流特性的影響.結果表明:外加電場在0~25kV/cm范圍內時,暗電流模型和實驗數(shù)據(jù)變化相吻合.暗電流隨著外加電場的增加而增加,并且當外加電場小于6kV/cm時暗電流增加迅速,而當外加電場大于6kV/cm時暗電流增加緩慢.暗電流隨著外加溫度的增加迅速增加.該研究為量子點紅外探測器的優(yōu)化設計和性能提高提供了理論參考.
【作者單位】： 武警工程大學理學院;西藏民族大學教育學院;
【基金】：國家自然科學基金(No.61307121) 武警工程大學基礎研究基金(No.WJY201405);武警工程大學軍事理論研究課題(Nos.JLX201518;JLX201519) 西藏民族大學青年學人培育計劃項目(No.14myQP01)資助~~
【分類號】：TN215
【正文快照】： 0引言量子點紅外探測器(Quantum Dot InfraredPhotodetector,QDIP)可以克服量子阱紅外探測器紅外響應區(qū)較窄,不能直接探測垂直入射紅外輻射的缺點,此外,它還具有低暗電流、高光電導增益、高響應率、高靈敏度和高探測率等優(yōu)點,目前已受到人們的廣泛關注,成為國內外紅外探測技術

【共引文獻】

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本文編號：1270734