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光刻膠材料中國區(qū)域?qū)@F(xiàn)狀分析

發(fā)布時間:2017-10-28 17:20

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【摘要】:近年來,我國光刻膠材料的市場規(guī)模大幅增長。本文對光刻膠材料中國區(qū)域的專利申請的現(xiàn)狀進(jìn)行了分析,梳理了專利申請總體趨勢、地域分布、申請人構(gòu)成、主要申請人、專利申請的法律狀態(tài)等情況,以期為我國光刻膠材料企業(yè)的發(fā)展提供一定的參考。
【作者單位】: 國家知識產(chǎn)權(quán)局專利局光電部;知識產(chǎn)權(quán)出版社咨詢培訓(xùn)中心;
【關(guān)鍵詞】光刻膠材料 中國區(qū)域 專利分析
【分類號】:TN305.7;G306
【正文快照】: 一、引言作為微電子技術(shù)核心的集成電路制造技術(shù)是電子工業(yè)最重要的基礎(chǔ),其發(fā)展之快、更新之速,是其他任何產(chǎn)業(yè)都無可比擬的[1]。而在集成電路微細(xì)加工過程中,光刻工藝又是集成電路制造的關(guān)鍵工藝步驟,其中關(guān)鍵的材料——光刻膠(photoresist)又稱光致抗蝕劑,是一種感光性高分

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

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6 沈熙磊;;2010年全球光刻膠銷售11.5億美元未來3年將保持4.7%的年增長率[J];半導(dǎo)體信息;2011年04期

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中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

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3 北京科華微電子材料有限公司董事長兼總經(jīng)理 陳昕;多方努力尋求高檔光刻膠突破[N];中國電子報;2009年

4 盈如;永光建立世界級光刻膠供貨商地位[N];電子資訊時報;2005年

5 本報記者 王莉;技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)跑微電子材料[N];蘇州日報;2005年

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7 蘇州瑞紅電子化學(xué)品有限公司技術(shù)部部長 顧奇;TFT用感光材料國內(nèi)外技術(shù)懸殊國內(nèi)化學(xué)品企業(yè)努力追趕[N];中國電子報;2009年

8 本文由永光化學(xué)電處技術(shù)發(fā)展部提供;光刻膠在LED工藝上的使用技術(shù)[N];電子資訊時報;2004年

9 ;永光化學(xué):生產(chǎn)基地漸入佳境 LED光刻膠獨樹一幟[N];中國電子報;2008年

10 北京科華微電子材料有限公司董事長兼總經(jīng)理 陳昕;TFT高性能光刻膠國產(chǎn)化勢在必行[N];中國電子報;2009年

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前6條

1 周新江;基于變量分離理論的光刻成像快速計算方法研究[D];華中科技大學(xué);2015年

2 劉建國;耐高溫紫外正型光刻膠和248nm深紫外光刻膠的研制[D];華中科技大學(xué);2007年

3 唐雄貴;厚膠光學(xué)光刻技術(shù)研究[D];四川大學(xué);2006年

4 魏杰;激光光盤信息記錄光刻膠的合成與感光[D];北京化工大學(xué);1998年

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中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 雷國韜;曲表面光刻膠涂覆技術(shù)研究[D];長春理工大學(xué);2012年

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3 武磊;ZnS光學(xué)元件離子束拋光技術(shù)研究[D];西安工業(yè)大學(xué);2014年

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7 朱冬華;三苯胺多枝化合物為引發(fā)劑的光刻膠過程作用的研究與含三苯胺的化合物合成[D];蘇州大學(xué);2010年

8 馮偉;含氟氣體的去光刻膠工藝灰化率提高的研究[D];上海交通大學(xué);2007年

9 張春暉;光刻工藝中的曲面膠厚檢測[D];浙江大學(xué);2010年

10 韓婷婷;超臨界CO_2微乳液去除光刻膠的研究[D];山東大學(xué);2011年

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本文編號:1109213

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