本文關(guān)鍵詞：憶阻電路等效建模與動(dòng)力學(xué)分析

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【摘要】：憶阻器是物理上新實(shí)現(xiàn)的具有記憶特性的非線性基本二端電路元件。本文根據(jù)φ q關(guān)系式的泰勒級(jí)數(shù)形式構(gòu)建了荷控憶阻器等效電路分析模型,以三次非線性荷控憶阻器模型為例,對(duì)不同參數(shù)條件下的荷控憶阻器進(jìn)行了伏安關(guān)系、有無源性等電路特性的理論分析。通過等效實(shí)驗(yàn)電路很好地驗(yàn)證了理論分析結(jié)果,結(jié)果表明,荷控憶阻器的伏安關(guān)系具有斜體“8”字型緊磁滯回線特性,隨其參數(shù)符號(hào)的不同,荷控憶阻器呈現(xiàn)出無源性和有源性,導(dǎo)致其電路特性發(fā)生相應(yīng)的變化;相比無源荷控憶阻器,有源荷控憶阻器更適用于作為二次諧波信號(hào)產(chǎn)生電路使用。進(jìn)一步地,基于磁通和電荷物理量,重構(gòu)了兩個(gè)電路定律,建立了三個(gè)基本元件韋庫關(guān)系,并提出了一種憶阻電路的映射等效分析方法。映射等效分析法表明,可通過一個(gè)具有相同拓?fù)浜碗娐穮?shù)的非線性動(dòng)力學(xué)電路來等效分析和實(shí)現(xiàn)一個(gè)憶阻動(dòng)力學(xué)電路。以憶阻混沌電路和相應(yīng)的帶有兩個(gè)輸出微分器的蔡氏混沌電路為例,進(jìn)行了該方法的闡述;利用蔡氏混沌電路,開展了憶阻混沌電路的等效動(dòng)力學(xué)分析和實(shí)現(xiàn)。結(jié)果說明,憶阻混沌電路的輸出與蔡氏混沌電路相應(yīng)的輸出具有一致的動(dòng)力學(xué)特性,所提出的方法得到了數(shù)值仿真和實(shí)驗(yàn)觀察的驗(yàn)證,它有助于憶阻動(dòng)力學(xué)電路的設(shè)計(jì)和分析。
【關(guān)鍵詞】：憶阻電路 荷控憶阻器 等效建模 映射等效分析法 動(dòng)力學(xué)特性
【學(xué)位授予單位】：常州大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TM501
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本文編號(hào)：791840