發(fā)布時(shí)間：2017-08-18 12:27

  本文關(guān)鍵詞：鍵合的雙結(jié)太陽電池研究

  更多相關(guān)文章： 鍵合 多結(jié)太陽電池 晶格失配 界面

【摘要】：論述鍵合的雙結(jié)GaAs/InGaAs太陽電池的研制,界面采用p~(++)GaAs/n~(++)GaAs隧穿結(jié),開路電壓大于1.15 V,效率比國際報(bào)道的同類鍵合兩結(jié)電池提高0.3%,電池表面未做減反膜。開路電壓表明兩結(jié)電池可實(shí)現(xiàn)串聯(lián),為單片集成的高效多結(jié)電池提供新的途徑,通過分析電池效率性能提出進(jìn)一步提高效率的技術(shù)方案。
【作者單位】： 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所集成光電子學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 鍵合 多結(jié)太陽電池 晶格失配 界面
【基金】：中國科學(xué)院知識創(chuàng)新工程重要方向項(xiàng)目(09JA041001)
【分類號】：TM914.4
【正文快照】： 0引言以III-V族化合物為代表的太陽電池備受關(guān)注,因這種化合物材料具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率、良好的晶體質(zhì)量和可供調(diào)節(jié)的帶隙等優(yōu)點(diǎn),目前是各國研制高轉(zhuǎn)換空間太陽電池的首選[1]。從材料的成本看,III-V族化合物的成本比Si高,但據(jù)B.T.Debney等[2]的分析,在地面高聚光度下使用Ga

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 劉如彬;王帥;張寶;孫強(qiáng);孫彥錚;;Ⅲ-Ⅴ化合物半導(dǎo)體太陽電池的最新研究進(jìn)展[J];電源技術(shù);2009年07期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 劉如彬;王帥;孫強(qiáng);孫彥錚;;晶格失配GaAs太陽電池的漸變緩沖層生長技術(shù)研究[A];第十一屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議論文集[C];2010年

，

本文編號：694564