本文關(guān)鍵詞：Al納米顆粒增強(qiáng)微晶硅薄膜太陽(yáng)電池光吸收的模擬研究

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【摘要】：利用價(jià)格低廉、性能優(yōu)良的金屬納米顆粒增強(qiáng)太陽(yáng)電池的光吸收具有廣闊的應(yīng)用前景.通過(guò)建立三維數(shù)值模型,模擬了微晶硅薄膜電池前表面周期性分布的Al納米顆粒陣列對(duì)電池光吸收的影響,并對(duì)其結(jié)構(gòu)參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化.模擬結(jié)果表明:對(duì)于球狀A(yù)l納米顆粒陣列,影響電池光吸收的關(guān)鍵參數(shù)是周期P與半徑R的比值,或者說(shuō)是顆粒的表面覆蓋度;當(dāng)P/R=4—5時(shí),總的光吸收較參考電池提高可達(dá)20%.與球狀顆粒相比,優(yōu)化后的半球狀A(yù)l納米顆粒陣列可獲得更好的陷光效果,但后者對(duì)顆粒半徑R的變化較敏感.另外,結(jié)合電場(chǎng)分布,對(duì)電池光吸收增強(qiáng)的物理機(jī)理進(jìn)行了分析.
【作者單位】： 鄭州大學(xué)物理工程學(xué)院 材料物理教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： Al納米顆粒陣列 表面等離激元 太陽(yáng)電池 陷光
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):11204276) 河南省高等學(xué)校重點(diǎn)科研項(xiàng)目(批準(zhǔn)號(hào):15A140041)資助的課題~~
【分類(lèi)號(hào)】：TM914.42
【正文快照】： 的自由電子在入射光子激勵(lì)下的集體振蕩[4].在1引言共振狀態(tài)下入射光子的能量被有效地轉(zhuǎn)換為顆粒表面自由電子的集體振動(dòng)能,從而產(chǎn)生很多特殊太陽(yáng)能利用是全球能源結(jié)構(gòu)中最具發(fā)展?jié)摿Φ奈锢硇?yīng),如強(qiáng)散射效應(yīng)、局域場(chǎng)增強(qiáng)等,這些的支撐性能源技術(shù).在太陽(yáng)能利用中,除了光熱利效

【相似文獻(xiàn)】

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