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聚酰亞胺/二氧化鈦納米復(fù)合薄膜制備與耐電暈性

發(fā)布時間:2024-03-30 07:12
  采用原位聚合法制備不同TiO2組分聚酰亞胺(PI)/納米TiO2復(fù)合薄膜,薄膜厚度50μm。測試結(jié)果表明,TiO2呈球狀顆粒,直徑約為100 nm,聚酰亞胺呈片狀,尺寸約為2μm×1μm。隨著TiO2含量的增加,復(fù)合薄膜介電常數(shù)和介電損耗增大,擊穿場強(qiáng)先增加后降低;在40 kV/mm電場強(qiáng)度下,復(fù)合薄膜耐電暈老化壽命增加,純PI薄膜壽命為3 h,20wt%TiO2含量薄膜壽命達(dá)到25 h;TiO2顆粒耐電暈?zāi)芰?qiáng),與聚合物形成界面相,改變材料陷阱能級,有利于空間電荷的擴(kuò)散和熱量的傳輸,在薄膜表面形成放電阻擋層,降低局部放電對薄膜內(nèi)部的侵蝕,顯著提高薄膜耐電暈老化壽命。

【文章頁數(shù)】:5 頁

【文章目錄】:
1 實(shí)驗(yàn)部分
    1.1 實(shí)驗(yàn)材料與儀器
    1.2 聚酰亞胺/Ti O2納米復(fù)合薄膜的制備
    1.3 測試與表征
2 結(jié)果與討論
    2.1 薄膜橫斷面形貌
    2.2 介電常數(shù)和介電損耗
    2.3 耐電暈性能
3 結(jié)論



本文編號:3941999

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