本文綜述了國內(nèi)外憶阻器研究現(xiàn)狀，分析了惠普憶阻器的結(jié)構(gòu)、原理和主要特點(diǎn)。憶阻器的納米尺度、非易失性和可堆疊性具備設(shè)計(jì)新型大規(guī)模集成電路以延續(xù)甚至突破摩爾定律的能力。憶阻器的運(yùn)算多值性具有設(shè)計(jì)人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和人工智能模擬計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)潛能。本文進(jìn)一步研究了我們提出的新型雙擴(kuò)展結(jié)構(gòu)憶阻器并制成了實(shí)物樣品，主要開展的研究工作有：1．給出了雙擴(kuò)展納米尺度結(jié)構(gòu)憶阻器（即Pt/TiO2-x/TiO2/TiO2+x/Pt納米結(jié)構(gòu)憶阻器的新結(jié)構(gòu)并成功獲得一項(xiàng)中國發(fā)明專利授權(quán)和兩項(xiàng)美國發(fā)明專利授權(quán)）。本論文研究在兩根交叉的鉑納米線之間夾TiO2-x/TiO2/TiO2+x三層納米二氧化鈦半導(dǎo)體薄膜，制備成Pt/TiO2-x/TiO2/TiO2+x/Pt納米結(jié)構(gòu)，研究這種雙擴(kuò)展憶阻器模型、工作機(jī)理及其特性。2．根據(jù)離子漂移理論，對(duì)經(jīng)典的惠普型憶阻器提出了新的建模方法，同時(shí)對(duì)比討論了雙擴(kuò)展憶阻器模型特點(diǎn)，并且在Matlab和HSPICE等主流電路仿真軟件平臺(tái)下仿真實(shí)現(xiàn)。仿真結(jié)果表明本文憶阻器理論模型更加符合憶阻器實(shí)物測試結(jié)果。研究了基于惠普型憶阻器了讀寫操作的電路結(jié)構(gòu)，提出一個(gè)能充分發(fā)揮憶阻器存儲(chǔ)與運(yùn)算特性的... 

【文章來源】：黑龍江大學(xué)黑龍江省

【文章頁數(shù)】：126 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

電荷、電流、電壓、磁通量之間關(guān)系圖

圖 1-2 惠普實(shí)驗(yàn)室憶阻器實(shí)物圖Fig.1-2 Figure of HP memristor爾公司的創(chuàng)始人之一戈登·摩爾提出著名的管數(shù)目約每隔 18 個(gè)月便會(huì)增加一倍，性定律的預(yù)言一樣，微電子產(chǎn)業(yè)通過縮小晶性能，實(shí)現(xiàn)了微電子行業(yè)的突飛猛進(jìn)，為。通過查閱相關(guān)文獻(xiàn)得知特征尺寸為 0.術(shù)早已成為半導(dǎo)體制造行業(yè)的主流[1][2]，而 的特征尺寸已經(jīng)達(dá)到 35 納米。但是伴隨子技術(shù)受極限物理尺寸的限制越來越明過縮小晶體管尺寸已經(jīng)行不通了，微電子管。米電子技術(shù)中，阻變存儲(chǔ)器（RRAM—Re

多成果的研究機(jī)構(gòu)包括惠普實(shí)驗(yàn)室，美國加州大學(xué)與日本東可以使用 SPICE（Simulation program with intergrated circuit e，應(yīng)用惠普等給出的參數(shù)指標(biāo)進(jìn)行仿真和模擬研究。 年惠普實(shí)驗(yàn)室宣布成功研制了第一個(gè)納米級(jí)的憶阻器實(shí)物元以分為三個(gè)方面：阻器理論的研究。阻器物理制備和其交叉陣列的實(shí)現(xiàn)。阻器實(shí)現(xiàn)電子突觸的研究。器理論的研究在第 2 章詳細(xì)介紹。下面先介紹國際上憶阻器 年 8 月，美國加州大學(xué)的 Yu. V. Pershin、M. Di Ventra 等人提型——電子自旋阻塞模型[15][16]，其結(jié)構(gòu)如圖 1-3 所示。這種半導(dǎo)體與鐵磁材料接觸處出現(xiàn)的電子遷移受限的現(xiàn)象設(shè)計(jì)而成FM接觸面 SC

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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[4]納米晶CoNiFe軟磁薄膜的電化學(xué)制備及其結(jié)構(gòu)、性能的研究[D]. 王秋萍.浙江大學(xué) 2010
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本文編號(hào)：3401763