具有強(qiáng)垂直電場分量結(jié)構(gòu)的外絕緣污閃特性及機(jī)理研究
發(fā)布時(shí)間:2021-08-19 17:13
高壓套管外絕緣特性較一般絕緣子更為復(fù)雜,為研究垂直電場分量對(duì)套管結(jié)構(gòu)設(shè)備外絕緣污閃特性影響機(jī)制,搭建了模擬試驗(yàn)平臺(tái)。由印度尼西亞電網(wǎng)發(fā)生的一起變電站變壓器套管污閃事故起,首先詳細(xì)分析了事故發(fā)生的過程和原因,總結(jié)了其特有的污閃規(guī)律;其次,基于事故中實(shí)際套管試制了簡化模型,該模型具有強(qiáng)垂直電場分量特性,并驗(yàn)證了簡化模型的關(guān)鍵參數(shù);接著基于實(shí)驗(yàn)室試制的有無強(qiáng)垂直電場分量模型的污閃特性分別開展了人工污穢試驗(yàn),研究了不同等值鹽密和爬電距離條件下2種模型試品的閃絡(luò)電壓的特性差異;測(cè)量和分析了具有強(qiáng)垂直電場分量試品污閃過程中電壓電流的變化規(guī)律及其差異,最后,提出了符合強(qiáng)垂直電場結(jié)構(gòu)特性的污閃–滑閃轉(zhuǎn)化模型,這一模型與實(shí)際工程中和實(shí)驗(yàn)室試品試驗(yàn)中獲得的結(jié)果均較相符。
【文章來源】:高電壓技術(shù). 2020,46(10)北大核心EICSCD
【文章頁數(shù)】:7 頁
【部分圖文】:
試驗(yàn)平臺(tái)示意圖Fig.1Schematicstructureofexperimentalsetup
朱明曦,王黎明:具有強(qiáng)垂直電場分量結(jié)構(gòu)的外絕緣污閃特性及機(jī)理研究3617導(dǎo)桿、中部絕緣層和外部法蘭設(shè)計(jì)。為與實(shí)際套管對(duì)應(yīng),將試品單位距離電容值C0作為試驗(yàn)試品設(shè)計(jì)的重要參數(shù)。根據(jù)調(diào)研500kV套管的長度一般為6764mm,800kV套管長度一般為13511mm,計(jì)算可以得到實(shí)際套管的單位長度下電容值為0.57~0.86pF/cm。因此在設(shè)計(jì)簡化套管模型的時(shí)候主要參考這一數(shù)值。為了進(jìn)行具有強(qiáng)垂直分量結(jié)構(gòu)的沿面閃絡(luò)試驗(yàn),本節(jié)參考10kV套管的關(guān)鍵參數(shù)設(shè)計(jì)了一種簡化模型,如圖2所示。模型的結(jié)構(gòu)主要有3層:最外層是鋁制法蘭,尺寸為外徑230mm,厚20mm;中間層為尼龍制絕緣層,外徑為120mm,絕緣層長度有2種,分別為320和520mm;最內(nèi)層是銅制的空心導(dǎo)桿。為了對(duì)比有無強(qiáng)垂直分量試品沿面放電特性的差別,試制了1個(gè)實(shí)心支柱絕緣子試品:其特點(diǎn)在于中間沒有導(dǎo)桿,只有兩端有直徑為60mm的銅電極,其結(jié)構(gòu)圖如圖2(b)所示,Dco為導(dǎo)桿直徑,Lin為絕緣長度,Lco為電極長度,Tfl為法蘭厚度,Din為絕緣層直徑。各不同尺寸的試品具體參數(shù)均在表2中列出。按照絕緣長度的設(shè)計(jì),以及實(shí)際套管的電容參數(shù)為0.57~0.86pF/cm。對(duì)比了套管試品參數(shù)與實(shí)際套管參數(shù)。由于試品C無導(dǎo)桿電極,因此不考慮電容值,見表3。由表3可以看出,試品A與試品B單位長度電容值均在實(shí)際套管電容參數(shù)范圍內(nèi),計(jì)算結(jié)果表明,本文設(shè)計(jì)的具有強(qiáng)垂直分量試品在關(guān)鍵參數(shù)上和實(shí)際套管相符,因此具有實(shí)際的代表性。2污閃放電特性和鹽密關(guān)系在研究絕緣子污閃問題時(shí),等值鹽密ρESDD(equivalentsaltdepositdensity,ESDD)是用?
3618高電壓技術(shù)2020,46(10)強(qiáng)垂直分量2種試品,雖然外形結(jié)構(gòu)有差異,但形狀系數(shù)差別不大,污閃的電弧特性完全相同。同時(shí)表4中的R2是擬合的相關(guān)系數(shù),表示擬合結(jié)果的相關(guān)性,A和C的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的擬合相關(guān)系數(shù)均不低于0.9,說明擬合結(jié)果良好。3污閃放電特性和爬電距離關(guān)系對(duì)于絕緣子,泄漏距離是除了等值鹽密之外影響閃絡(luò)電壓的另一個(gè)重要因素,通過設(shè)計(jì)形狀復(fù)雜的絕緣子來增大爬電距離l,是提高閃絡(luò)電壓的重要手段之一。為了研究具有強(qiáng)垂直分量結(jié)構(gòu)閃絡(luò)電壓與距離的關(guān)系,選取了試品A和B2個(gè)試品進(jìn)行對(duì)比。二者的爬電距離不同,分別為19和30cm,其余參數(shù)均相同。試驗(yàn)結(jié)果如圖4所示,試驗(yàn)結(jié)果表明:1)在表面鹽密較低(<0.05mg/cm2)時(shí),爬電距離對(duì)污閃電壓的影響很大,例如,鹽密為0.02mg/cm2時(shí),試品B的閃絡(luò)電壓比試品A的閃絡(luò)電壓高24.5%。2)但是當(dāng)鹽密升高,到達(dá)0.1mg/cm2后,爬電距離對(duì)閃絡(luò)電壓幾乎不起所用,例如試品A和試品B在鹽密值為0.1~0.2mg/cm2區(qū)間,其閃絡(luò)電壓差別<10%,考慮到污閃電壓的隨機(jī)性后,可以認(rèn)為二者幾乎沒有差別。根據(jù)國家電網(wǎng)公司企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)Q/GDW152—2006《電力系統(tǒng)污區(qū)分級(jí)與外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》[16]中對(duì)污區(qū)等級(jí)的劃分,在Ⅰ級(jí)污穢條件下,套管的沿面污閃電壓隨爬電距離的增大而增大,在工程運(yùn)行范圍內(nèi),當(dāng)污區(qū)等級(jí)為Ⅱ、Ⅲ或Ⅳ級(jí)條件下,具有強(qiáng)垂直分量結(jié)構(gòu)試品的沿面污閃電壓的大小與爬電距離沒有直接關(guān)系。4污閃放電電壓電流特性圖5表示了試品A在0.15mg/cm2等值鹽密條件下臨近發(fā)生污閃的電壓、電流測(cè)量結(jié)果,泄漏電流隨著表面狀態(tài)的變化而變化。以閃?
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]環(huán)境條件對(duì)線路絕緣子覆冰形態(tài)和密度的影響規(guī)律[J]. 孫磊,賈志東,李亞偉,張星海,周朋. 高電壓技術(shù). 2018(08)
[2]SF6氣體絕緣直流穿墻套管污穢閃絡(luò)特性[J]. 謝雄杰,劉琴,許佐明,徐濤,胡偉,鄧宏偉. 高電壓技術(shù). 2018(06)
[3]人工積污試驗(yàn)系統(tǒng)及絕緣子積污特性[J]. 萬小東,南敬,徐濤,劉琴. 高電壓技術(shù). 2018(06)
[4]可溶物對(duì)絕緣子有效污穢度的影響[J]. 蔣興良,劉又超,劉要峰,張歡,李永福,張志勁. 高電壓技術(shù). 2018(05)
[5]用有效鹽密作為表征污穢度的新方法[J]. 姜新建,董弘川,王黎明,梅紅偉,曹彬,孟曉波. 高電壓技術(shù). 2017(12)
[6]局部表面電導(dǎo)率法測(cè)量絕緣子憎水性表面的污穢分布[J]. 關(guān)志成,郭晨鋆,王耿耿,梅紅偉,王黎明,項(xiàng)陽. 高電壓技術(shù). 2014(04)
[7]高海拔地區(qū)±800kV特高壓直流輸電系統(tǒng)絕緣子帶電自然積污特性[J]. 律方成,秦春旭,郭文義,劉云鵬. 高電壓技術(shù). 2013(03)
[8]不同傘形結(jié)構(gòu)復(fù)合絕緣子的交流污閃有效爬電距離[J]. 舒立春,袁前飛,張志勁,蔣興良,胡琴,胡建林,孫才新. 電網(wǎng)技術(shù). 2011(03)
[9]湖南電網(wǎng)2008年冰雪災(zāi)害調(diào)研分析[J]. 張文亮,于永清,宿志一,范建斌,李鵬,袁大陸,武守遠(yuǎn),宋杲,鄧占鋒,趙東來,左松林,傅志揚(yáng),屈強(qiáng). 電網(wǎng)技術(shù). 2008(08)
[10]冰雪災(zāi)害條件下我國電網(wǎng)安全運(yùn)行面臨的問題[J]. 李成榕,呂玉珍,崔翔,杜小澤,程養(yǎng)春,王璋奇,艾欣,肖湘寧. 電網(wǎng)技術(shù). 2008(04)
本文編號(hào):3351810
【文章來源】:高電壓技術(shù). 2020,46(10)北大核心EICSCD
【文章頁數(shù)】:7 頁
【部分圖文】:
試驗(yàn)平臺(tái)示意圖Fig.1Schematicstructureofexperimentalsetup
朱明曦,王黎明:具有強(qiáng)垂直電場分量結(jié)構(gòu)的外絕緣污閃特性及機(jī)理研究3617導(dǎo)桿、中部絕緣層和外部法蘭設(shè)計(jì)。為與實(shí)際套管對(duì)應(yīng),將試品單位距離電容值C0作為試驗(yàn)試品設(shè)計(jì)的重要參數(shù)。根據(jù)調(diào)研500kV套管的長度一般為6764mm,800kV套管長度一般為13511mm,計(jì)算可以得到實(shí)際套管的單位長度下電容值為0.57~0.86pF/cm。因此在設(shè)計(jì)簡化套管模型的時(shí)候主要參考這一數(shù)值。為了進(jìn)行具有強(qiáng)垂直分量結(jié)構(gòu)的沿面閃絡(luò)試驗(yàn),本節(jié)參考10kV套管的關(guān)鍵參數(shù)設(shè)計(jì)了一種簡化模型,如圖2所示。模型的結(jié)構(gòu)主要有3層:最外層是鋁制法蘭,尺寸為外徑230mm,厚20mm;中間層為尼龍制絕緣層,外徑為120mm,絕緣層長度有2種,分別為320和520mm;最內(nèi)層是銅制的空心導(dǎo)桿。為了對(duì)比有無強(qiáng)垂直分量試品沿面放電特性的差別,試制了1個(gè)實(shí)心支柱絕緣子試品:其特點(diǎn)在于中間沒有導(dǎo)桿,只有兩端有直徑為60mm的銅電極,其結(jié)構(gòu)圖如圖2(b)所示,Dco為導(dǎo)桿直徑,Lin為絕緣長度,Lco為電極長度,Tfl為法蘭厚度,Din為絕緣層直徑。各不同尺寸的試品具體參數(shù)均在表2中列出。按照絕緣長度的設(shè)計(jì),以及實(shí)際套管的電容參數(shù)為0.57~0.86pF/cm。對(duì)比了套管試品參數(shù)與實(shí)際套管參數(shù)。由于試品C無導(dǎo)桿電極,因此不考慮電容值,見表3。由表3可以看出,試品A與試品B單位長度電容值均在實(shí)際套管電容參數(shù)范圍內(nèi),計(jì)算結(jié)果表明,本文設(shè)計(jì)的具有強(qiáng)垂直分量試品在關(guān)鍵參數(shù)上和實(shí)際套管相符,因此具有實(shí)際的代表性。2污閃放電特性和鹽密關(guān)系在研究絕緣子污閃問題時(shí),等值鹽密ρESDD(equivalentsaltdepositdensity,ESDD)是用?
3618高電壓技術(shù)2020,46(10)強(qiáng)垂直分量2種試品,雖然外形結(jié)構(gòu)有差異,但形狀系數(shù)差別不大,污閃的電弧特性完全相同。同時(shí)表4中的R2是擬合的相關(guān)系數(shù),表示擬合結(jié)果的相關(guān)性,A和C的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的擬合相關(guān)系數(shù)均不低于0.9,說明擬合結(jié)果良好。3污閃放電特性和爬電距離關(guān)系對(duì)于絕緣子,泄漏距離是除了等值鹽密之外影響閃絡(luò)電壓的另一個(gè)重要因素,通過設(shè)計(jì)形狀復(fù)雜的絕緣子來增大爬電距離l,是提高閃絡(luò)電壓的重要手段之一。為了研究具有強(qiáng)垂直分量結(jié)構(gòu)閃絡(luò)電壓與距離的關(guān)系,選取了試品A和B2個(gè)試品進(jìn)行對(duì)比。二者的爬電距離不同,分別為19和30cm,其余參數(shù)均相同。試驗(yàn)結(jié)果如圖4所示,試驗(yàn)結(jié)果表明:1)在表面鹽密較低(<0.05mg/cm2)時(shí),爬電距離對(duì)污閃電壓的影響很大,例如,鹽密為0.02mg/cm2時(shí),試品B的閃絡(luò)電壓比試品A的閃絡(luò)電壓高24.5%。2)但是當(dāng)鹽密升高,到達(dá)0.1mg/cm2后,爬電距離對(duì)閃絡(luò)電壓幾乎不起所用,例如試品A和試品B在鹽密值為0.1~0.2mg/cm2區(qū)間,其閃絡(luò)電壓差別<10%,考慮到污閃電壓的隨機(jī)性后,可以認(rèn)為二者幾乎沒有差別。根據(jù)國家電網(wǎng)公司企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)Q/GDW152—2006《電力系統(tǒng)污區(qū)分級(jí)與外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》[16]中對(duì)污區(qū)等級(jí)的劃分,在Ⅰ級(jí)污穢條件下,套管的沿面污閃電壓隨爬電距離的增大而增大,在工程運(yùn)行范圍內(nèi),當(dāng)污區(qū)等級(jí)為Ⅱ、Ⅲ或Ⅳ級(jí)條件下,具有強(qiáng)垂直分量結(jié)構(gòu)試品的沿面污閃電壓的大小與爬電距離沒有直接關(guān)系。4污閃放電電壓電流特性圖5表示了試品A在0.15mg/cm2等值鹽密條件下臨近發(fā)生污閃的電壓、電流測(cè)量結(jié)果,泄漏電流隨著表面狀態(tài)的變化而變化。以閃?
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]環(huán)境條件對(duì)線路絕緣子覆冰形態(tài)和密度的影響規(guī)律[J]. 孫磊,賈志東,李亞偉,張星海,周朋. 高電壓技術(shù). 2018(08)
[2]SF6氣體絕緣直流穿墻套管污穢閃絡(luò)特性[J]. 謝雄杰,劉琴,許佐明,徐濤,胡偉,鄧宏偉. 高電壓技術(shù). 2018(06)
[3]人工積污試驗(yàn)系統(tǒng)及絕緣子積污特性[J]. 萬小東,南敬,徐濤,劉琴. 高電壓技術(shù). 2018(06)
[4]可溶物對(duì)絕緣子有效污穢度的影響[J]. 蔣興良,劉又超,劉要峰,張歡,李永福,張志勁. 高電壓技術(shù). 2018(05)
[5]用有效鹽密作為表征污穢度的新方法[J]. 姜新建,董弘川,王黎明,梅紅偉,曹彬,孟曉波. 高電壓技術(shù). 2017(12)
[6]局部表面電導(dǎo)率法測(cè)量絕緣子憎水性表面的污穢分布[J]. 關(guān)志成,郭晨鋆,王耿耿,梅紅偉,王黎明,項(xiàng)陽. 高電壓技術(shù). 2014(04)
[7]高海拔地區(qū)±800kV特高壓直流輸電系統(tǒng)絕緣子帶電自然積污特性[J]. 律方成,秦春旭,郭文義,劉云鵬. 高電壓技術(shù). 2013(03)
[8]不同傘形結(jié)構(gòu)復(fù)合絕緣子的交流污閃有效爬電距離[J]. 舒立春,袁前飛,張志勁,蔣興良,胡琴,胡建林,孫才新. 電網(wǎng)技術(shù). 2011(03)
[9]湖南電網(wǎng)2008年冰雪災(zāi)害調(diào)研分析[J]. 張文亮,于永清,宿志一,范建斌,李鵬,袁大陸,武守遠(yuǎn),宋杲,鄧占鋒,趙東來,左松林,傅志揚(yáng),屈強(qiáng). 電網(wǎng)技術(shù). 2008(08)
[10]冰雪災(zāi)害條件下我國電網(wǎng)安全運(yùn)行面臨的問題[J]. 李成榕,呂玉珍,崔翔,杜小澤,程養(yǎng)春,王璋奇,艾欣,肖湘寧. 電網(wǎng)技術(shù). 2008(04)
本文編號(hào):3351810
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