以化學水浴法制備Zn-O-S薄膜,82℃條件下,先在燒杯中依次加入硫酸鋅、硫酸銨、氨水,再加入不同濃度的硫脲后,得到Zn-O-S薄膜。使用臺階儀、掃描電鏡、X射線衍射、紫外分光光度計對樣品進行表征分析,得到薄膜的厚度、結晶形貌、物相特征、光學特性等,利用Tauc公式,導入外推切線得到樣品的光學帶隙,通過這些信息分析硫脲濃度對樣品的影響。當硫脲濃度為0.167 mol/L時,襯底上晶粒緊密孔隙小、雜質(zhì)少,ZnO納米棒、大尺寸晶粒都最少;XRD衍射圖譜中,在28.5°及31°附近出現(xiàn)明顯的衍射峰,分別對應（111）晶向的ZnS和（100）晶向的ZnO;該條件下樣品的光學帶隙為3.52 eV,是最低的。 

【文章來源】：電源技術. 2020,44(09)北大核心

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圖３⑻－（ｄ）分別對應０．１６７、０．２、０．２３、０．２６?ｍｏｌ／Ｌ硫脲樣品的??ＥＤＳ能譜圖??２０２０．９?Ｖｏｌ．４４?Ｎｏ．９??１３１

?Ｔ?＝?ｅ￣ａｄ?（２）??薄膜吸收系數(shù)與其對應光學帶隙有如下關系，根據(jù)Ｔａｕｃ公??式：??ａｈｖ＝Ａ（ｎｖ－Ｅ％ｙ?（３）??式中：Ａ為常數(shù)；Ａｕ為光子能量；Ａ為普朗克常數(shù)；Ｕ為光子頻??率；乓為薄膜光學帶隙。??因為ＺｎＳ和ＺｎＯ均為直接帶隙半導體，允許偶極躍遷，??３００?４００?５００?６００?７００?８００?９００??波長／ｎｍ??１．０??０．８??０，６??Ｘｉｌ??Ｐｋ??Ｕ??１０?２０?３０?４０?５０?６０??２?沒／（。）??圖５?０．１６７?ｍｏｌ／Ｌ硫脲濃度下制備Ｚｎ－Ｏ－Ｓ薄膜ＸＲＤ圖譜??長范圍：３００？９００ｒｎｎ。通過計算，得到制備薄膜樣品的帶隙。??圖６為０．０３？０．２６?ｍｏｌ／Ｌ硫脲條件下制備Ｚｎ－０－Ｓ薄膜的透過??率和吸光度。??ｕ．ｕ????３．２??３．４?３．６??３．８??Ｕ．Ｕ??３．２??３．４?３．６?３．８??故的值�。保�。在（ｏｆｔｕ）２與Ａｕ的關系圖譜中，取線性擬合域??斜率，其對應在兀軸的截距，即為薄膜帶隙值乓。圖７中１￣８??分別為?０．０３、０．０６７、０．１、０．１３、０．１６７、０．２、０．２３、０．２６?ｍｏｌ／Ｌ?硫脲??條件下樣品的帶隙計算。??ｈｖ／ｅＶ?Ａｖ／ｅＶ??圖?７?１￣８?分別為?０．０３、０．０６７、０．１、０．１３、０．１６７、０．２、０．２３、??０．２６?ｍｏｌ／Ｌ硫脲條件下樣品的帶隙計算??通過計算，得到各條件下生長的薄膜對應帶隙值見表??２�？梢钥闯�，０．１３?ｍｏｌ／Ｌ硫脲條件下生長的薄膜帶隙值最低，??為３．５２?ｅＶｃＺｎＳ帶隙為３．６５?ｅＶ，ＺｎＯ帶隙為３

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3321088