利用正交試驗,對溶膠-凝膠法（sol-gel）制備Al/Ga共摻雜Zn O透明導電薄膜（GAZO）的工藝進行優(yōu)化,研究溶膠濃度、摻雜配比、熱處理溫度、薄膜厚度等因素對薄膜光電性能的影響規(guī)律。分別以薄膜的透光率和電阻率作為評價指標,確定制備GAZO薄膜的最佳工藝參數(shù)。采用X射線衍射儀（XRD）、掃描電子顯微鏡（SEM）、可見分光光度計和雙電測四探針電阻率測試儀分別分析薄膜的結構、表面形貌以及光電性能等。結果表明:Al和Ga的摻入未影響Zn O的晶體結構,也未生成其他雜質氧化物。最佳工藝條件下,薄膜在可見光范圍內的透過率為88.458%,電阻率為2.66×10^-3Ω·cm。 

【文章來源】：太陽能學報. 2015,36(07)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：6 頁

【參考文獻】：
期刊論文
[1]柔性PEN襯底ZnO:Ga薄膜的性能研究[J]. 謝軻,蔡宏琨,陶科,胡居濤,靳果,張德賢.  光電子.激光. 2011(11)
[2]太陽電池用共摻雜ZnO透明導電薄膜的結構及性能[J]. 王輝,袁玉珍,劉漢法,張化福,劉云燕,劉俊成.  太陽能學報. 2011(04)
[3]溶膠-凝膠法制備AZO薄膜及Al摻雜機理的研究[J]. 許瑩,竇玉博,王娟.  功能材料. 2010(S2)
[4]透明導電薄膜的研究現(xiàn)狀及應用[J]. 李世濤,喬學亮,陳建國.  激光與光電子學進展. 2003(07)
[5]AZO透明導電薄膜的特性、制備與應用[J]. 范志新.  光電子技術. 2000(04)



本文編號：3265206