為了研究載流子選擇性接觸結構在N型晶硅電池鈍化特性,本文設計了專門的材料結構。分析對比了不同摻雜濃度分布的材料結構在退火后、沉積SiNx∶H薄膜后及燒結后隱開路電壓值的變化,并對其鈍化機理進行了分析。研究結果表明隱開路電壓值對摻雜濃度分布非常敏感。隨著摻雜濃度分布進入硅基體的"穿透"深度增加,相對應地退火后、SiNx∶H薄膜沉積后及燒結后隱開路電壓值均呈現(xiàn)先增加后減小的趨勢,且樣片沉積SiNx∶H薄膜后隱開路電壓的增加幅度也逐漸減小,而樣片燒結后隱開路電壓值又出現(xiàn)不同幅度的下降,且隱開路電壓值的下降幅度逐漸減小。通過適當?shù)膿诫s工藝,可以使得燒結后的隱開路電壓均值達到738 mV。 

【文章來源】：人工晶體學報. 2020,49(09)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引 言
1 材料結構設計與制作
2 結果與討論
    2.1 鈍化特性結果分析
    2.2 摻雜濃度分布對鈍化特性分析
3 結 論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]高效單晶硅太陽電池的最新進展及發(fā)展趨勢[J]. 陳俊帆,趙生盛,高天,徐玉增,張力,丁毅,張曉丹,趙穎,侯國付.  材料導報. 2019(01)



本文編號：3190946