發(fā)布時(shí)間：2021-03-16 06:12

　　高壓大功率電力電力變換器的需求日益增加,而單個(gè)功率器件難以滿足應(yīng)用的需求,因此需采用器件串聯(lián)的方式。寬禁帶半導(dǎo)體器件SiC MOSFET具有高頻、高耐壓、高開(kāi)關(guān)速度的優(yōu)勢(shì),基于SiC MOSFET的串聯(lián)變換器不僅滿足高壓大功率的需求,而且滿足高頻、高功率密度的發(fā)展趨勢(shì),但由于器件工藝的不成熟,基于純SiC MOSFET的串聯(lián)變換器成本昂貴、過(guò)載能力弱,容錯(cuò)率低�；赟i IGBT/SiC MOSFET混合并聯(lián)器件的串聯(lián)變換器具有低導(dǎo)通損耗、低開(kāi)關(guān)損耗、高短路耐量的優(yōu)勢(shì),滿足高壓、高頻以及高功率密度的應(yīng)用需求,而且在變換器中器件失效的條件下仍可以帶故障運(yùn)行,提高了系統(tǒng)的容錯(cuò)率。在此介紹了基于并聯(lián)混合器件的串聯(lián)變換器結(jié)構(gòu),基于功率器件的失效模式制定了相應(yīng)的故障處理策略,并分析了基于混合并聯(lián)器件的串聯(lián)變換器的可靠性,最后基于搭建的串聯(lián)變換器實(shí)驗(yàn)樣機(jī)驗(yàn)證了該變換器的故障運(yùn)行能力。 

【文章來(lái)源】：電力電子技術(shù). 2020,54(10)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：4 頁(yè)

【部分圖文】：

圖２開(kāi)路故障控制策略??Ｆｉｇ．?２?Ｃｏｎｔｒｏｌ?ｓｔｒａｔｅｇｙ?ｏｆ?ｏｐｅｎ－ｃｉｒｃｕｉｔ?ｆａｕｌｔ??

圖３短路故障控制策略??Ｆｉｇ．?３?Ｃｏｎｔｒｏｌ?ｓｔｒａｔｅｇｙ?ｏｆ?ｓｈｏｒｔ－ｃｉｒｃｕｉｔ?ｆａｕｌｔ??

圖４有無(wú)冗余可靠性對(duì)比??Ｆｉｇ．?４?Ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ?ｏｆ?ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ?ｗｉｔｈ／ｗｉｔｈｏｕｔ?ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ??１４０４??０??

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開(kāi)關(guān)器件綜述[J]. 寧圃奇,李磊,曹瀚,溫旭輝.  電工電能新技術(shù). 2018(10)
[2]SiC MOSFETs與Si IGBTs的性能對(duì)比研究[J]. 鄭浩,王學(xué)梅,張波.  電力電子技術(shù). 2015(12)
[3]IGBT關(guān)斷瞬態(tài)過(guò)壓擊穿特性研究[J]. 汪波,胡安,唐勇,陳明.  電力電子技術(shù). 2011(09)

碩士論文
[1]基于SiC/Si混合并聯(lián)器件的全橋DC/DC變換器優(yōu)化設(shè)計(jì)[D]. 王丹.南京航空航天大學(xué) 2018



本文編號(hào)：3085553