在染料敏化太陽能電池研究中,金屬鉑作為對電極成本較高,研究代替金屬鉑的對電極材料成了迫切需要解決的問題。本論文使用分子束外延法在導電玻璃FTO襯底上,成功制備了390℃、430℃、470℃三種生長溫度的拓撲絕緣體Bi₂Se₃薄膜材料,并作為對電極進行性能測試。通過X射線衍射技術檢測出匹配度較高的拓撲絕緣體Bi₂Se₃衍射峰,掃描電鏡檢測結果顯示470℃的薄膜具有較多垂直襯底的生長結構,表現出更大的比表面積。在經過伏安特性曲線測試顯示,短路電流密度為11.22 mA?cm^-2,開路電壓為0.675 V,填充因子為57.43%,光電轉化效率為4.35%接近鉑電極。隨著對電極材料比表面積的增加,使得電解質中更多的I^-/I₃^-發(fā)生電荷轉移,從而有效提高光電轉化效率。本論文進一步通過水熱法在FTO上成功制備了對電極空心微球SnS材料、還原氧化石墨烯RGO和空心微球SnS@RGO材料。首先,在X射線衍射測試中,SnS和RGO... 

【文章來源】：合肥工業(yè)大學安徽省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數】：58 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

染料敏化太陽能電池的工作原理圖

經過外電路和對電極以及電解液傳輸，以離，將光能在用電器上轉化成電能[16]。應范圍較寬的染料，能夠促進更多的太陽光被染料的是 N719 染料，響應光譜范圍在 600 nm 以內[17導電性良好和較強的催化能力，使得電子在傳輸有利于染料敏化太陽能電池的光電轉化效率的提化太陽能電池中的作用，探索拓撲絕緣體作為對電概述是一種奇異的量子態(tài)，自發(fā)現以來受到材料物理。拓撲絕緣體的內部是有能隙的絕緣態(tài)，表面則間反演對稱保護能夠穩(wěn)定存在。2005 年，Kane 和出拓撲絕緣體的概念，如圖 1.2，量子自旋霍爾體的金屬態(tài)，并受時間反演對稱性保護，存在離散[18]。

第一章 緒論方忠與張首晟受到量子霍爾效應系統(tǒng)中導電邊緣態(tài)散三維帶形絕緣體中發(fā)現了具有大自旋-軌道耦合的拓為 Bi2Se3表面態(tài)的理論計算[19]，(b)圖為實驗角分辨率學計量晶體 Bi2Se3的第一原理電子結構計算結果，并隙為 0.3 eV，大于室溫的能量尺度。并進一步提出了一，該模型捕獲了這類材料的顯著拓撲特征[19]。隨后子能譜證明這類材料的表面都只有一支狄拉克能譜，與以往被證實的拓撲絕緣體材料相比，這一類材料有相，結構穩(wěn)定、容易合成；2.表面態(tài)只有一個狄拉克；3.體能隙較大，Bi2Se3的體能隙約為 0.3 eV，高于

【參考文獻】：
期刊論文
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博士論文
[1]染料敏化太陽能電池TiO2光陽極的微納結構設計與界面調控[D]. 趙培陸.吉林大學 2017
[2]低維Bi2Se3材料的氣相輸運生長及其在DSSC對電極上的應用[D]. 韓曼舒.東北師范大學 2017

碩士論文
[1]染料敏化太陽能電池對電極材料硫化鎳/硫化鎘增強效應的研究[D]. 楊曉.安徽大學 2015



本文編號：3056310