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微晶硅/晶體硅/微晶硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池窗口層的模擬計(jì)算與優(yōu)化

發(fā)布時(shí)間:2021-01-30 00:05
  采用Afors-het太陽(yáng)能電池異質(zhì)結(jié)模擬軟件,模擬了不同工作溫度下,微晶硅窗口層對(duì)μc-si(p)/c-si(n)/μc-si(p+)異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池性能的影響,結(jié)果表明:隨著微晶硅窗口層帯隙的增加,轉(zhuǎn)化效率先增加后下降、開路電壓不斷增加;摻雜濃度的增加,電池性能整體呈現(xiàn)先上升后小幅下降的趨勢(shì);厚度的增加,電池的性能整體上呈現(xiàn)下降的趨勢(shì)。隨著工作溫度的增加,微晶硅窗口層對(duì)應(yīng)的最佳厚度和摻雜濃度值都有明顯的減小趨勢(shì);但其對(duì)應(yīng)的最佳帯隙有明顯的增加的趨勢(shì)。該實(shí)驗(yàn)結(jié)果為在不同溫度下工作的電池提供了商業(yè)化生產(chǎn)的實(shí)驗(yàn)參數(shù)。 

【文章來(lái)源】:光電子技術(shù). 2014,34(04)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】:7 頁(yè)

【文章目錄】:
引 言
1 物理模型
    1. 1 模擬電池結(jié)構(gòu)及 afors-het 數(shù)值模擬物理模型
    1. 2 模擬電池參數(shù)
2 模擬結(jié)果分析與討論
    2. 1 不同工作溫度下,微晶硅窗口層帯隙變化對(duì)電池性能的影響
    2. 2 不同工作溫度下、微晶硅窗口層摻雜濃度變化對(duì)電池性能的影響
    2. 3 不同工作溫度下、微晶硅窗口層厚度變化對(duì)電池性能的影響
3 結(jié)論



本文編號(hào):3007851

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