能源是當(dāng)今社會(huì)發(fā)展水平的標(biāo)志，而太陽(yáng)能來(lái)源無(wú)窮無(wú)盡，具有穩(wěn)定性和很高的安全保障性，比其他可再生能源在技術(shù)方面有更大的潛力，充分說(shuō)明太陽(yáng)能是未來(lái)能源的主力之一。而太陽(yáng)能利用中，除了光熱利用外，最主要思路是光伏發(fā)電，通過(guò)P-型和N-型半導(dǎo)體材料的復(fù)合，在其界面上形成P-N結(jié)，促使光生電子-空穴對(duì)有效分離，因此，不同性質(zhì)的半導(dǎo)體材料得到了各個(gè)科研小組的廣泛研究。碲化鎘（CdTe）是一種P型半導(dǎo)體材料，室溫下禁帶寬度為1.45eV，屬直接躍遷型能帶結(jié)構(gòu)，很接近太陽(yáng)能電池需要的最優(yōu)能隙，吸收系數(shù)大，可以有效吸收可見(jiàn)光能量，具有很高的理論轉(zhuǎn)換效率（28%），因此成為制備高效率，低成本的多晶薄膜太陽(yáng)能電池的理想的吸收層材料。硫化鎘（CdS）是一種非常重要的直接帶隙太陽(yáng)電池材料。CdS薄膜帶隙較寬，為2.42eV，吸收系數(shù)較高，為104～105cm-1，它的電子親和勢(shì)為4.5eV，和二氧化錫（SnO2）接近，能和SnO2形成良好的歐姆接觸。CdS多晶薄膜在異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池中是一種很重要的n型窗口材料。CdTe薄膜太陽(yáng)電池通常以碲化鎘/硫化鎘（CdTe/CdS）異質(zhì)結(jié)為基礎(chǔ)，盡管CdS和CdTe晶格常數(shù)相... 

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【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

P-N結(jié)示意圖

即受到內(nèi)建電場(chǎng)的作用，在電進(jìn)入 P 區(qū)，而光生電子（多數(shù)穴也會(huì)向 p-n 結(jié)邊界擴(kuò)散，作用而使光生電子在電場(chǎng)力作流子）則被留在 P 區(qū)。因此，電場(chǎng)方向相反的光生電場(chǎng)。層帶正電，N 型層帶負(fù)電，因原理陽(yáng)電池上、下極之間就會(huì)有（如圖 1.2 所示），因此太陽(yáng)

圖 1.4 理想的太陽(yáng)電池等效電路 圖 1.5 實(shí)際的太陽(yáng)電池等效電路如圖 1.5 所示，負(fù)載兩端的電壓為 U，則加在 Rsh兩端的電壓為 U+IRs，因( ) /sh s shI U IR R流過(guò)負(fù)載的電流為ph D shI I I I可得(1 / ) /s sh ph sh DI R R I U R I（1-1）其中，暗電流DI 為注入電流、復(fù)合電流以及隧道電流三者之和。在一般情下，可以忽略隧道電流，這樣暗電流DI 是注入電流及復(fù)合電流之和。加在電池 P-N 結(jié)上的外電壓為j sU U IR。為了用等效電路來(lái)預(yù)計(jì)太陽(yáng)電池的輸出和效率，可將注入電流和復(fù)合電流化為單指數(shù)形式

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]擴(kuò)散溫度和時(shí)間對(duì)晶體硅太陽(yáng)電池性能的影響[J]. 王麗,陳阿青,王曉忠,樂(lè)棟賢,梅建濱.  電子元件與材料. 2012(04)
[2]不同工藝條件對(duì)電沉積n-CdTe薄膜性能和結(jié)構(gòu)的影響[J]. 郭清松,楊廣華,沈岳年,黃文德,張力.  太陽(yáng)能學(xué)報(bào). 1989(03)
[3]陰極電淀積CdTe多晶薄膜組織結(jié)構(gòu)的觀察與分析[J]. 黃文德,沈岳年,王標(biāo),郭滿.  內(nèi)蒙古大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 1984(03)



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