多晶硅錠主要通過定向凝固法生長,由于這種方法成本低且產(chǎn)量高,使其成為太陽能電池材料最重要的襯底之一。傳統(tǒng)的多晶硅錠是在石英坩堝底部的氮化硅涂層上形核,晶粒較大且位錯密度較高。自2011年以來出現(xiàn)了使用多晶硅作為籽晶誘導(dǎo)多晶硅錠生長,也被稱為高效多晶硅,它是光伏產(chǎn)業(yè)取得的一個重大進展。與傳統(tǒng)生長方式大晶粒多晶硅錠不同,使用籽晶誘導(dǎo)的多晶硅錠的晶粒尺寸細小均勻,晶粒取向分布更均勻,具有高比例的隨機晶界和較低的位錯密度,電池轉(zhuǎn)化效率顯著提高且分布更窄。目前主要的多晶硅片廠家都轉(zhuǎn)向使用籽晶來輔助生長多晶硅錠,在籽晶選擇方面,流化床顆粒硅或西門子多晶硅是最常用的籽晶材料,位于坩堝底部的籽晶提供了許多用于外延生長的成核點,硅熔體在一定的過冷度下很容易從籽晶上進行引晶。但是多晶硅籽晶誘導(dǎo)技術(shù)也存在不可忽視的缺點,首先它需要在坩堝底部進行精確的熱場控制用于保留部分籽晶,因此該方法的熔化時間比傳統(tǒng)的更長導(dǎo)致產(chǎn)能降低,其次,流化床顆粒硅或西門子多晶硅籽晶的比表面積較大容易造成雜質(zhì)污染。因此,使用多晶硅籽晶誘導(dǎo)的多晶硅錠在底部呈現(xiàn)出更多的低少數(shù)載流子壽命區(qū)域。本課題研究制備不同的硅粉形核劑用于生長高效多晶硅... 

【文章來源】：南昌大學(xué)江西省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：64 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

光伏產(chǎn)業(yè)鏈

多晶硅鑄錠方法

電磁鑄造法

【參考文獻】：
期刊論文
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[3]太陽能多晶硅錠定向凝固技術(shù)進展[J]. 鐘根香,周浪,萬躍鵬.  材料導(dǎo)報. 2008(09)
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本文編號：2955504