面向運(yùn)行設(shè)備的局放實(shí)訓(xùn)平臺(tái)研究
【圖文】:
圖 2-1 缺陷設(shè)置的基本類型經(jīng)過與平高電氣設(shè)計(jì)人員的溝通,,最終確定設(shè)置 2 處缺陷,分別為尖端放電缺陷和金屬顆粒放電缺陷,如下圖 2-2 GIS 內(nèi)部缺陷設(shè)置。
8圖 2-2 GIS 內(nèi)部缺陷設(shè)置導(dǎo)體接觸不良原本設(shè)計(jì)思路為屏蔽環(huán)螺絲松動(dòng),且缺陷放于不同氣室。由于現(xiàn)場(chǎng)高壓室受限,設(shè)備需要拆卸之后運(yùn)輸至高壓室內(nèi)進(jìn)行組裝,故將缺陷放置于同一氣室中。其余缺陷在后期根據(jù)需要可在現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行設(shè)置。2.2.1.3 GIS 局部放電的典型圖譜各種類型 GIS 局部放電的典型圖譜見表 2-1。
【學(xué)位授予單位】:華北電力大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號(hào)】:TM855
【參考文獻(xiàn)】
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本文編號(hào):2632492
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