利用光譜響應(yīng)研究太陽(yáng)電池基區(qū)少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度
[Abstract]:In view of the shortcomings of the existing measurement models and methods for the diffusion length of minority carriers in the base region of silicon solar cells, a model is established to study the diffusion length of minority carriers in the base region of silicon solar cells by using spectral response. the model takes into account the influence of high and low junction barrier on the back of n pp crystal silicon solar cells, and modifies the measurement model of minority carrier diffusion length in the base region. According to the long wave spectral response of silicon solar cells at 900 脳 950 nm, the diffusion length of minority carriers in the base region is obtained by using the modified model. The results obtained are similar to those of PC1 D simulation.
【作者單位】: 云南師范大學(xué)太陽(yáng)能研究所;教育部可再生能源材料先進(jìn)技術(shù)與制備重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;云南省農(nóng)村能源工程重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】:云南省科技計(jì)劃項(xiàng)目(2010ZC077) 云南省教育廳科學(xué)研究課題(2012Z012)
【分類(lèi)號(hào)】:TM914.4
【共引文獻(xiàn)】
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4 李W,魏同立,沈匡
本文編號(hào):2523286
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