【摘要】：在進(jìn)行光伏發(fā)電系統(tǒng)的數(shù)字仿真、輸出功率預(yù)測(cè)、運(yùn)行調(diào)度和優(yōu)化設(shè)計(jì)時(shí),均需對(duì)太陽(yáng)電池及陣列的電氣特性進(jìn)行精確建模。以硅太陽(yáng)電池單二極管等效電路模型為基礎(chǔ),運(yùn)用粒子群算法,提出一種計(jì)算模型五參數(shù)(Iph、Isat、Rs、Rsh、A)的優(yōu)化方法,并分析了輻照強(qiáng)度和溫度變化對(duì)模型參數(shù)的影響。該方法僅使用太陽(yáng)電池生產(chǎn)廠商提供的在標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試狀況下的4個(gè)電氣參數(shù)(Voc、Isc、Vm、Im),便可計(jì)算一般工況下的I-V特性曲線。在Matlab中建立仿真模型,仿真與實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明新模型對(duì)于I-V曲線的預(yù)測(cè)誤差一般在2%以內(nèi)。
[Abstract]:In the process of digital simulation, output power prediction, operation scheduling and optimal design of photovoltaic power generation system, accurate modeling of the electrical characteristics of solar cells and arrays is needed. Based on the single-diode equivalent circuit model of silicon solar cells and particle swarm optimization (PSO), an optimization method for calculating the five parameters of the model (Iph,Isat,Rs,Rsh,A) is proposed, and the effects of radiation intensity and temperature on the parameters of the model are analyzed. Using only four electrical parameters (Voc,Isc,Vm,Im) provided by solar cell manufacturers under standard test conditions, the I-V characteristic curves under general operating conditions can be calculated. The simulation model is established in Matlab. The simulation and experimental results show that the prediction error of the new model for I-V curve is generally less than 2%.
【作者單位】： 合肥工業(yè)大學(xué)教育部光伏系統(tǒng)工程研究中心;安慶師范學(xué)院物理與電氣工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展(973)計(jì)劃(2009CB219705) 國(guó)家自然科學(xué)基金(51207040;51307042)
【分類號(hào)】：TM914.4

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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5 呂，

本文編號(hào)：2251071