本文關鍵詞： 等離子體增強化學氣相沉積 硅薄膜 退火　出處：《人工晶體學報》2014年12期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：利用等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)制備硅薄膜,對硅薄膜進行退火處理。通過X射線衍射譜,拉曼光譜以及傅里葉變換紅外吸收光譜,研究了退火溫度在550~700℃范圍內,硅薄膜退火過程中的生長特性。實驗表明:多晶硅的晶粒尺寸并不隨著退火溫度的提高而持續(xù)增大,當退火溫度在550~650℃范圍內,硅薄膜始終表現(xiàn)出(111)方向的擇優(yōu)生長取向。當退火溫度高于650℃時,氧原子活性增強,硅-氧鍵增加。對于存在應變、已結晶的薄膜,由于內部應力的累積,薄膜更容易隨著退火溫度的升高而脫落。
[Abstract]:Silicon thin films were prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and annealed. By means of X-ray diffraction, Raman spectroscopy and Fourier transform infrared absorption spectroscopy, the annealing temperature was studied in the range of 550 ~ 700 鈩，

本文編號：1518698