本文關(guān)鍵詞：基于熱光伏電池GaSb多晶薄膜的可控生長(zhǎng)（英文）　出處：《紅外與毫米波學(xué)報(bào)》2015年04期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： GaSb薄膜 擇優(yōu)取向 熱光伏(TPV)

【摘要】：采用物理氣相沉積(PVD)法在ITO透明導(dǎo)電襯底上制備GaSb多晶薄膜.研究了襯底溫度及薄膜厚度對(duì)GaSb薄膜結(jié)構(gòu)特性、電學(xué)特性以及光學(xué)特性的影響.在一定條件下生長(zhǎng)的GaSb薄膜擇優(yōu)取向由GaSb(111)晶向轉(zhuǎn)變?yōu)镚aSb(220)晶向,這是在玻璃襯底上生長(zhǎng)GaSb薄膜沒有發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)象.擇優(yōu)取向改變?yōu)?220)晶向的GaSb薄膜具有更高的霍爾遷移率.因?yàn)檫@種薄膜材料具有更少的晶粒間界和更少的缺陷.經(jīng)優(yōu)化后的GaSb薄膜的光學(xué)吸收系數(shù)在104cm~(-1)以上,適用于熱光伏薄膜太陽(yáng)電池中.
[Abstract]:GaSb polycrystalline films were prepared on transparent conductive ITO substrates by physical vapor deposition (PvD) method. The structure characteristics of GaSb films were investigated by substrate temperature and thickness. Under certain conditions, the preferred orientation of GaSb thin films changed from GaSbC111) to GaSbN220). This is a phenomenon not found in the growth of GaSb thin films on glass substrates. The crystalline GaSb thin films have higher Hall mobility, because the films have less intergranular boundaries and fewer defects. The optical absorption coefficient of the optimized GaSb films is 104 cm ~ (-1). -1) above. Suitable for thermal photovoltaic thin film solar cells.
【作者單位】： 南開大學(xué)電子信息與光學(xué)工程學(xué)院電子科學(xué)與工程系;天津市光電子薄膜器件與技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：Supported by the National High Technology Research and Development Program of China(2011AA050513) National Basic Research Program of China(2012CB934201)
【分類號(hào)】：TM914.4
【正文快照】： IntroductionThermophotovoltaic devices are basically photovolta-ic solar cells that utilize the thermal infrared radiation ofa heated source to directly generate electric power.Sys-tem modelling and analysis indicates that low-bandgap(0.25 to 0.7 e V)TPV

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 么憶權(quán);;基于并口通信的多晶薄膜沉積裝置[J];微計(jì)算機(jī)信息;2010年23期

2 吳迎娟,潘永樂,陳凌冰,趙有源,沈元華,李富銘,沈淑引,黃德音;釩氧酞菁多晶薄膜的穩(wěn)態(tài)光電壓特性研究[J];光學(xué)學(xué)報(bào);1998年12期

3 楊吉軍;徐可為;;多晶薄膜表面粗化與生長(zhǎng)方式轉(zhuǎn)變[J];物理學(xué)報(bào);2007年02期

4 謝大_",趙夔,王莉芳,朱鳳,全勝文,孟鐵軍,張保澄,陳佳洱;用磁控濺射和真空硒化退火方法制備高質(zhì)量的銅銦硒多晶薄膜[J];物理學(xué)報(bào);2002年06期

5 孫平,吳沖若,李永祥;二維應(yīng)力對(duì)PbTiO_3多晶薄膜相變的影響[J];真空科學(xué)與技術(shù);1995年04期

6 李金華;袁寧一;謝太斌;但迪迪;;超高溫度系數(shù)V_(0.97)W_(0.03)O_2多晶薄膜的制備研究[J];物理學(xué)報(bào);2007年03期

7 黎兵，蔡亞平，朱居木，鄭家貴，蔡偉，馮良桓;CdS多晶薄膜的制備及其性能的研究[J];四川大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);1999年03期

8 叢秋滋,歐陽(yáng)明安,于德洋,張平余,趙家政;多晶薄膜X-射線衍射[J];固體潤(rùn)滑;1991年02期

9 ;鍍膜技術(shù)及設(shè)備[J];中國(guó)光學(xué)與應(yīng)用光學(xué)文摘;1997年04期

10 黃小融，鄭家貴，，黎兵，蔡偉;退火對(duì)CdS多晶薄膜電學(xué)性質(zhì)的影響[J];西南民族學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);1999年02期

相關(guān)會(huì)議論文 前8條

1 陳湘明;章薇;;PLD沉積Ba(Fe0.5Nb0.5)O3薄膜及其鐵電與介電性能[A];2011中國(guó)材料研討會(huì)論文摘要集[C];2011年

2 張靜全;武莉莉;邵燁;周心明;馮良桓;蔡偉;鄭家貴;J.Tang;蔡亞平;黎兵;;ZnTe:Cu多晶薄膜的結(jié)構(gòu)與反常電導(dǎo)溫度行為研究[A];中國(guó)第六屆光伏會(huì)議論文集[C];2000年

3 楊定宇;朱興華;魏昭榮;高秀英;楊維清;楊軍;;CdS多晶薄膜的制備與光學(xué)性質(zhì)研究[A];第15屆全國(guó)晶體生長(zhǎng)與材料學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2009年

4 張弘;李玉紅;李振生;賀德衍;;輻射探測(cè)器材料PbI_2多晶薄膜的制備研究[A];第11屆全國(guó)發(fā)光學(xué)學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集[C];2007年

5 王嬌;張志軍;趙景泰;陳昊鴻;楊昕昕;;水熱化學(xué)溶液法沉積Eu~(3+)摻雜Y_2O_3多晶薄膜及發(fā)光性能研究[A];中國(guó)晶體學(xué)會(huì)第四屆全國(guó)會(huì)員代表大會(huì)暨學(xué)術(shù)會(huì)議學(xué)術(shù)論文摘要集[C];2008年

6 阮建明;隋妍萍;李濤;蔡宏琨;張德賢;;襯底溫度對(duì)GaSb多晶薄膜的影響[A];第29屆全國(guó)化學(xué)與物理電源學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2011年

7 楊凱;武莉莉;張靜全;馮良桓;雷智;王靜雅;徐福;施瓊;蔡偉;李衛(wèi);蔡亞平;黎兵;鄭家貴;;AlSb多晶薄膜的性質(zhì)表征[A];第十屆中國(guó)太陽(yáng)能光伏會(huì)議論文集：迎接光伏發(fā)電新時(shí)代[C];2008年

8 嚴(yán)鋒;王業(yè)寧;顧民;李仲;楊震;;顆粒尺寸對(duì)多晶C_(60)薄膜有序-無(wú)序相變引起的內(nèi)耗峰的影響[A];內(nèi)耗與超聲衰減——第五屆全國(guó)固體內(nèi)耗與超聲衰減學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];1997年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前1條

1 張靜全;碲化鎘及相關(guān)化合物多晶薄膜與碲化鎘太陽(yáng)電池研究[D];四川大學(xué);2002年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前4條

1 朱虹;有機(jī)多晶薄膜的生長(zhǎng)機(jī)理研究[D];蘇州大學(xué);2012年

2 李瑩;ZnS1-x Tex(0≤X≤1)多晶薄膜的制備及特性研究[D];暨南大學(xué);2001年

3 邵燁;Cd_（1-x）Zn_xTe多晶薄膜的制備、性能研究與光伏應(yīng)用[D];四川大學(xué);2002年

4 付浪;碲化鎘太陽(yáng)電池及相關(guān)薄膜的電子輻照特性研究[D];四川大學(xué);2007年

本文編號(hào)：1375409