本文關(guān)鍵詞：CBD法制備大面積CdS薄膜及光伏應(yīng)用

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【摘要】：硫化鎘在薄膜太陽(yáng)電池中應(yīng)用廣泛。無(wú)論在CIGS(I III V材料)還是Cd Te(II VI材料),或者CZTS薄膜材料體系電池中,Cd S都是非常關(guān)鍵的一層。在Cd Te電池中Cd S作為n型半導(dǎo)體材料,在CIGS薄膜太陽(yáng)電池中Cd S作為緩沖層介于CIGS和Zn O之間的關(guān)鍵層,一方面作為n型半導(dǎo)體材料,另一方面可以調(diào)節(jié)CIGS和Zn O帶隙梯度。為了制備透明的和高電阻率的Cd S薄膜,研制出很多種方法制備獲得。如化學(xué)氣相沉積(CVD),電鍍,射頻磁控濺射,化學(xué)水浴法。而制備無(wú)針孔的Cd S薄膜一般使用CBD法,其價(jià)格低廉且所制備的薄膜與CIGS晶格失配較小。在用CBD法制備Cd S薄膜有使用緩沖劑的低氨的方法,也有不使用緩沖劑的高氨的方法。本文采用化學(xué)水浴法制備10cm×10cm大面積Cd S薄膜。調(diào)整合適的工藝參數(shù)為達(dá)到節(jié)約資源,提高沉積速率,制備透過(guò)率高均勻性好的Cd S薄膜,并且在光伏器件中作為緩沖層使用。其反應(yīng)包含兩個(gè)部分即孤立離子之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)即異質(zhì)成核和反應(yīng)生成的分子團(tuán)聚集過(guò)程即同質(zhì)成核。這兩部分反應(yīng)是競(jìng)爭(zhēng)反應(yīng),而異質(zhì)成核所制備的薄膜透過(guò)率和附著性都是比同質(zhì)反應(yīng)要好的,所以需要調(diào)整合適工藝參數(shù)使得薄膜生長(zhǎng)大部分處于異質(zhì)生長(zhǎng)成膜。本文通過(guò)一些正交實(shí)驗(yàn)在不同的溫度條件下調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速和藥品計(jì)量比來(lái)滿足該需求。
【學(xué)位授予單位】：天津理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TM914.4

【參考文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前2條

1 曹敏;門傳玲;鄧闖;田子傲;安正華;;CdS薄膜的真空熱蒸發(fā)制備及在CIGS薄膜太陽(yáng)電池中的應(yīng)用[J];半導(dǎo)體光電;2014年02期

2 敖建平;孫云;劉琪;何青;孫國(guó)忠;劉芳芳;李鳳巖;;CIGS電池緩沖層CdS的制備工藝及物理性能[J];太陽(yáng)能學(xué)報(bào);2006年07期

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本文編號(hào)：1159077