本文關鍵詞：基于混合拓撲的中壓靜止無功發(fā)生器的研究

  更多相關文章： 混合拓撲 電能質(zhì)量 IGBT串聯(lián) 多電平變換器 SVG

【摘要】：為了進一步提高系統(tǒng)的功率密度,減低成本,采用基于三電平和H橋級聯(lián)的混合型多電平拓撲,并且將低壓IGBT的串聯(lián)技術應用于三電平功率單元,避免使用高壓功率半導體器件。三電平單元IGBT的開關頻率為工頻,而H橋采用載波移相PWM調(diào)制方式,還提出了兩種功率單元的預充電策略,以及不同直流母線電壓的均壓控制方法�；谶@種混合型拓撲,研制了10 k V、2.5 Mvar SVG樣機。試驗驗證了方案的可行性,研究結果對于混合拓撲在SVG等產(chǎn)品上的應用具有重要參考價值。
【作者單位】： 臺達電子企業(yè)管理(上海)有限公司;
【關鍵詞】： 混合拓撲 電能質(zhì)量 IGBT串聯(lián) 多電平變換器 SVG
【分類號】：TM761.12
【正文快照】： 鄭劍飛(1982—),男,工程師,主要從事電能質(zhì)量治理技術、風電變流器控制技術的研究。應建平(1955—),男,教授級高級工程師,主要從事大功率電源拓撲和控制技術的研究。胡志明(1980—),男,工程師,主要從事大功率電源拓撲和驅(qū)動電路、電能質(zhì)量治理技術的研究0引言靜止無功發(fā)生器(S，

本文編號：936202