本文關鍵詞：GIS中隔離開關操作產生的電磁干擾問題研究

  更多相關文章： 氣體絕緣變電站 快速暫態(tài)過電壓 暫態(tài)殼體電壓 傳導干擾

【摘要】：GIS中隔離開關操作會產生電弧重燃,觸頭間隙上電壓突然跌落建立起階躍電壓。在GIS內部傳播時產生特快速暫態(tài)過電壓(VFTO)危害內部設備絕緣；向外部傳播時產生暫態(tài)殼體電壓(TEV)干擾二次設備正常運行甚至危害人身安全。隨著電力系統的電壓等級越來越高電磁環(huán)境越來越復雜,GIS的暫態(tài)過程中內部設備絕緣和二次系統干擾耦合問題越來越突出。針對這一問題,本文以陳家橋500kV GIS為例。首先運用貝瑞隆法等效各元件模型并選擇恰當參數,建立EMTP電磁暫態(tài)電路模型計算節(jié)點上的VFTO;其次,利用理想變壓器模型等效套管部件,建立GIS外部三傳輸線模型計算殼體上的TEV；最后,分別討論在電容式電壓互感器(CVT)或電流互感器(CT)的情況下,一次系統暫態(tài)過電壓或暫態(tài)過電流通過二次電纜對二次設備的傳導干擾,觀察幾種抑制傳導干擾措施的效果。分析結果表明：GIS中的VFTO幅值遠遠超過系統電壓,其中殘余電壓、入口電容及合閘電阻對VFTO的影響較大；母線殼體的TEV除與內部VFTO有關外,主要決定于殼體的接地狀況。接地電感越小則TEV的幅值越小,通常采用導電率高的接地材料或多點接地的方式減小TEV；二次側的傳導干擾的抑制措施主要是加強二次電纜的防護效果。采用多股導線接地和加裝濾波電容的方式都能較好抑制傳導干擾影響。
【關鍵詞】：氣體絕緣變電站 快速暫態(tài)過電壓 暫態(tài)殼體電壓 傳導干擾
【學位授予單位】：廣西大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2016
【分類號】：TM595;TM564.1
【目錄】：

• 摘要4-5
• ABSTRACT5-9
• 第一章 緒論9-16
• 1.1 氣體絕緣變電站中的電磁兼容問題9-10
• 1.2 開關操作產生VFTO特點及危害10-11
• 1.3 變電站內電磁騷擾源分析11-13
• 1.4 國內外研究概況13-15
• 1.4.1 國外研究概況13-14
• 1.4.2 國內研究概況14-15
• 1.5 本文的主要工作15-16
• 第二章 GIS中快速暫態(tài)過程產生的機理及其影響16-34
• 2.1 GIS中快速暫態(tài)過渡過程16-19
• 2.1.1 VFTO現象及其產生機理16-17
• 2.1.2 VFTO的分類17-19
• 2.2 GIS中基本電路計算模型的研究19-29
• 2.2.1 EMTP簡介19-20
• 2.2.2 GIS元件的瞬態(tài)特性20-26
• 2.2.3 GIS主要元件的模型和參數26-29
• 2.3 GIS中的暫態(tài)殼體電壓升高問題29-33
• 2.3.1 暫態(tài)殼體電位升高的產生機理29-30
• 2.3.2 TEV的特性及其危害30-31
• 2.3.3 TEV對二次電纜的傳導干擾31-33
• 2.4 本章小結33-34
• 第三章 GIS中暫態(tài)過電壓的計算及其影響因素分析34-51
• 3.1 VFTO的計算模型搭建34-38
• 3.2 VFTO影響因素的分析38-43
• 3.2.1 母線殘余電荷對VFTO的影響38-39
• 3.2.2 變壓器入口電容的影響39-41
• 3.2.3 隔離開關中弧道電阻的影響41-42
• 3.2.4 氧化鋅避雷器的影響42
• 3.2.5 VFTO的抑制措施42-43
• 3.3 TEV的計算及其影響因素分析43-49
• 3.3.1 TEV的整體模型建立43-46
• 3.3.2 接地線對TEV的影響46-49
• 3.3.3 TEV的抑制及預防措施49
• 3.4 本章小結49-51
• 第四章 VFTO對二次側暫態(tài)傳導干擾的分析與計算51-65
• 4.1 傳導干擾的建模與計算51-54
• 4.2 傳導干擾的計算結果分析54-56
• 4.3 二次電纜干擾影響因素及防護措施分析56-64
• 4.3.1 屏蔽層兩端接地56
• 4.3.2 電纜長度對二次設備干擾的影響56-58
• 4.3.3 多股導線接地數對二次設備干擾的影響58-59
• 4.3.4 濾波電容對二次設備干擾的影響59-64
• 4.4 本章小結64-65
• 第五章 總結與展望65-67
• 參考文獻67-71
• 致謝71-72
• 攻讀學位期間發(fā)表的學術論文72

【參考文獻】

中國期刊全文數據庫 前10條

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本文編號：877282