本文關(guān)鍵詞：硅鍺等離子體起輝的瞬態(tài)不穩(wěn)定性研究

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【摘要】：利用光發(fā)射譜(OES)監(jiān)測(cè)技術(shù)對(duì)氫氣(H_2)、硅烷(SiH_4)、鍺烷(GeH_4)等離子體的起輝穩(wěn)定時(shí)間進(jìn)行瞬態(tài)在線原位監(jiān)測(cè),探索功率及壓強(qiáng)對(duì)等離子體起輝穩(wěn)定時(shí)間的影響規(guī)律。結(jié)果表明,功率對(duì)等離子體的起輝穩(wěn)定性影響較大,即相比于較小功率,在較大功率下起輝時(shí),等離子體需要長(zhǎng)很多的時(shí)間才能達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)。但隨著功率的增大,氣壓對(duì)起輝穩(wěn)定性的影響逐漸變得明顯。分析認(rèn)為這種等離子體的起輝不穩(wěn)定性主要是由硅烷(SiH_4)、鍺烷(GeH_4)等氣體的反擴(kuò)散所造成,并進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)通過增加氫氣流量,可有效降低SiH_4等氣體的反擴(kuò)散程度,縮短硅鍺等離子體達(dá)穩(wěn)定狀態(tài)所需的時(shí)間。
【作者單位】： 中國科學(xué)院電工研究所中國科學(xué)院太陽能熱利用及光伏系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 光發(fā)射譜 瞬態(tài)不穩(wěn)定性 反擴(kuò)散 氫氣流量
【基金】：國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展(973)計(jì)劃(2011CBA00705)
【分類號(hào)】：TM914.4;TN304
【正文快照】： 0引言非晶硅鍺材料(a-Si Ge∶H)是一種用來制造光電器件,特別是高性能硅基薄膜疊層太陽電池的重要材料。具有較大的光學(xué)吸收系數(shù)及通過控制材料中的鍺含量可方便地將其帶隙寬度在1.1~1.8 e V的范圍內(nèi)進(jìn)行連續(xù)調(diào)節(jié)[1],這些特點(diǎn)使a-Si Ge∶H材料非常適合與非晶硅(a-Si∶H)材料在，

本文編號(hào)：847926