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反激式開關(guān)電源功率MOSFET動態(tài)驅(qū)動電路的設(shè)計

發(fā)布時間:2017-09-03 23:30

  本文關(guān)鍵詞:反激式開關(guān)電源功率MOSFET動態(tài)驅(qū)動電路的設(shè)計


  更多相關(guān)文章: 反激式開關(guān)電源 功率MOSFET 驅(qū)動電路 負(fù)載 效率 EMI


【摘要】:反激式開關(guān)電源變換器具有體積小、電路簡單、可靠性好等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于小功率電子產(chǎn)品中。當(dāng)前隨著美國DoEVI六級能效和歐盟EN55022規(guī)范等標(biāo)準(zhǔn)的推出,對變換器的效率和電磁干擾(EMI)等指標(biāo)的要求越來越高。功率MOSFET驅(qū)動電路與電源變換效率及EMI直接相關(guān),且效率和EMI間存在一定的矛盾和折中關(guān)系。本論文將重點(diǎn)研究和設(shè)計功率MOSFET的驅(qū)動電路,以優(yōu)化電源變換器的效率及EMI。本文首先分析了反激式開關(guān)電源中功率MOSFET驅(qū)動電路的發(fā)展現(xiàn)狀及主要設(shè)計方法,并結(jié)合功率MOSFET的開關(guān)過程和傳統(tǒng)驅(qū)動電路所體現(xiàn)出來的問題,提出了-種可以提高反激式開關(guān)電源變換效率且明顯改善系統(tǒng)EMI特性的動態(tài)驅(qū)動技術(shù)。接著研究了模擬和數(shù)字的兩種動態(tài)驅(qū)動方案,兩種方案均可在開關(guān)過程的不同階段依據(jù)變換器的負(fù)載條件動態(tài)地驅(qū)動功率MOSFET,以兼顧電源的效率和EMI要求。同時依照所提出方案分別設(shè)計了對應(yīng)的具體實(shí)現(xiàn)電路,并對電路進(jìn)行了仿真分析驗(yàn)證。此外,論文還對動態(tài)驅(qū)動電路的版圖進(jìn)行了設(shè)計以及后仿真。最后對一款本設(shè)計電路所在的反激變換器樣機(jī)進(jìn)行了效率測試和EMI測試,并將結(jié)果分別與指標(biāo)要求和傳統(tǒng)驅(qū)動的變換器樣機(jī)的測試結(jié)果進(jìn)行了對比,驗(yàn)證了所提出電路的設(shè)計效果。仿真驗(yàn)證表明:變換器輸出重負(fù)載和輕負(fù)載時,功率MOSFET的導(dǎo)通上升時間分別小于200ns和小于150ns,且關(guān)斷下降時間始終小于100ns,在保證快速開關(guān)的前提下適應(yīng)性地改變開關(guān)的時間。樣機(jī)測試結(jié)果表明:應(yīng)用動態(tài)驅(qū)動技術(shù)的基礎(chǔ)上,5V2A樣機(jī)的平均效率大于78.7%,滿足六級能效的要求,且相對于傳統(tǒng)驅(qū)動技術(shù)明顯改善系統(tǒng)的EMI,EMI裕度在30MHz~1000MHz測試頻率下均大于6dB。
【關(guān)鍵詞】:反激式開關(guān)電源 功率MOSFET 驅(qū)動電路 負(fù)載 效率 EMI
【學(xué)位授予單位】:東南大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號】:TN86;TM46
【目錄】:
  • 摘要5-6
  • Abstract6-9
  • 第一章 緒論9-13
  • 1.1 課題背景9-10
  • 1.2 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀10-11
  • 1.3 研究內(nèi)容11
  • 1.4 論文組織結(jié)構(gòu)11-13
  • 第二章 功率MOSFET及其驅(qū)動原理13-23
  • 2.1 功率MOSFET13-18
  • 2.2 功率MOSFET的驅(qū)動原理18-19
  • 2.3 功率MOSFET驅(qū)動技術(shù)的常見問題19-22
  • 2.4 小結(jié)22-23
  • 第三章 反激式開關(guān)電源功率MOSFET動態(tài)驅(qū)動技術(shù)23-33
  • 3.1 反激式開關(guān)電源控制器的工作原理23-25
  • 3.2 功率MOSFET動態(tài)驅(qū)動的設(shè)計要求25-27
  • 3.3 功率MOSFET的動態(tài)驅(qū)動方案27-30
  • 3.4 動態(tài)驅(qū)動的負(fù)載檢測原理30-32
  • 3.5 小結(jié)32-33
  • 第四章 動態(tài)驅(qū)動電路設(shè)計與仿真33-53
  • 4.1 模擬動態(tài)驅(qū)動電路設(shè)計及仿真33-48
  • 4.2 數(shù)字動態(tài)驅(qū)動電路設(shè)計及仿真48-52
  • 4.3 小結(jié)52-53
  • 第五章 版圖設(shè)計及測試結(jié)果53-63
  • 5.1 動態(tài)驅(qū)動電路的版圖設(shè)計53-56
  • 5.2 動態(tài)驅(qū)動的系統(tǒng)測試結(jié)果56-62
  • 5.3 小結(jié)62-63
  • 第六章 總結(jié)與展望63-65
  • 6.1 總結(jié)63
  • 6.2 展望63-65
  • 致謝65-67
  • 參考文獻(xiàn)67-68

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