本文關(guān)鍵詞：管式爐擴散法制備20%效率的n型雙面電池，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：采用一種管式擴散爐工藝制備了平均效率為20%的n型雙面晶硅太陽電池。制得的n型雙面晶硅電池峰值正面效率為20.30%、背面效率為17.59%。硼、磷擴散工藝分別在硼、磷高溫管式擴散爐中實現(xiàn),POCl_3氣氛的高溫擴散工藝沉積PSG/SiO_x層,BBr3氣氛的高溫擴散工藝沉積BSG/SiO_x層。電化學電容-電壓法測試顯示正面硼發(fā)射極沒有受到POCl_3高溫擴散的影響。采用電致發(fā)光測試方法研究了該n型雙面電池的邊緣漏電情況。該n型雙面電池工藝制作流程采用常規(guī)的產(chǎn)線設(shè)備,適合大規(guī)模生產(chǎn)。
【作者單位】： 晶澳太陽能有限公司;
【關(guān)鍵詞】： n型雙面電池 硼和磷管式擴散 高效率 阻擋層 漏電
【分類號】：TM914.41
【正文快照】： 0引言目前,p型普通單晶硅電池的產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)穩(wěn)定在19.6%以上,效率提升的空間已十分有限。n型單晶硅較常規(guī)的p型單晶硅具有體少子壽命高、無光衰等優(yōu)點[1],具有更大的效率提升空間。同時n型單晶組件具有弱光響應(yīng)好、溫度系數(shù)低等優(yōu)點,相應(yīng)的n型單晶太陽電池具有發(fā)電量高

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前4條

1 劉玉嶺;保愛林;李智明;;硅集成電路制備中隔離擴散工藝條件的選擇[J];河北工學院學報;1983年02期

2 劉驕劍;廖文和;郭宇;俞烽;;基于工作流的擴散工藝調(diào)整模型研究[J];中國機械工程;2009年08期

3 王宇,史濟群,馬稚堯,謝基凡;PESC電池擴散工藝的改進及分析[J];華中理工大學學報;1991年02期

4 ;[J];;年期

中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前3條

1 劉驕劍;支持快速擴散制造的工藝擴散關(guān)鍵技術(shù)研究[D];南京航空航天大學;2009年

2 李斐;單晶硅太陽能電池擴散工藝與電學特性仿真研究[D];中南大學;2010年

3 陳歡;30Cr1Mo1V鋼轉(zhuǎn)子鍛件高溫擴散工藝研究[D];燕山大學;2014年

  本文關(guān)鍵詞：管式爐擴散法制備20%效率的n型雙面電池，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號：433575