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單根有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦微/納米線的滯后及存儲性能研究

發(fā)布時間:2024-03-30 07:32
  有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦,如甲基胺碘化鉛(CH3NH3PbI3)鈣鈦礦,由于其高功率轉(zhuǎn)換效率和廉價的制備而在太陽能電池中擁有巨大的潛力。然而,它們的電流-電壓(I-V)曲線通常表現(xiàn)出反常的滯后特性,這不僅強(qiáng)烈地影響測量的準(zhǔn)確性并且嚴(yán)重?fù)p害器件的性能,同時它們的實(shí)際起源仍然是爭論的主題。具有電阻開關(guān)(RS)的滯后行為可應(yīng)用于RS存儲器中。有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦材料的不穩(wěn)定性也是其研究的焦點(diǎn)。外界作用、雜化等都會使有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦基器件的性能發(fā)生變化。納米材料表面具有豐富的表面態(tài)。本文從一維有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦微/納米線的應(yīng)用出發(fā),通過構(gòu)筑雙電極器件和場效應(yīng)晶體管(FET),利用外作用場的協(xié)同作用,同時采用量子點(diǎn)(QD)對微/納米線的結(jié)構(gòu)進(jìn)行雜化,以實(shí)現(xiàn)一維有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦微/納米線在可調(diào)控電阻開關(guān)、憶阻器、非易失性存儲器、自供能光電探測器等方面的應(yīng)用。所構(gòu)筑的基于單根CH3NH3PbI3微/納米線的封裝雙電極器件的滯后特性可以被精確的調(diào)制,而且其起源也可以...

【文章頁數(shù)】:130 頁

【學(xué)位級別】:博士

【部分圖文】:

圖1.1ABX3鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)示意圖

圖1.1ABX3鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)示意圖

圖1.1ABX3鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)示意圖[5]。Figure1.1SchematicillustrationofABX3perovskitecrystalstructure[5].-無機(jī)雜化鈣鈦礦具有一系列優(yōu)點(diǎn):(1)直接帶隙,使其具有較數(shù)[6];(2)化學(xué)計量可調(diào),....


圖1.2溶液旋涂法制備CH3NH3PbI3納米線的示意圖

圖1.2溶液旋涂法制備CH3NH3PbI3納米線的示意圖

通過稀釋最初的CH3NH3Br和PbBr2溶液,微米線的數(shù)X射線衍射和選區(qū)電子衍射測量可知微米片和微米線都是單晶用一種改進(jìn)的溶液自組裝方法合成了CH3NH3PbBr3納米線。將3PbBr混合稀釋后得到的鈣鈦礦溶液分別滴涂分散到ITO基底。玻璃和SiO2/Ag基....


圖1.3硅襯底上化學(xué)氣相沉積法生長的CH3NH3PbI3鈣鈦礦納米線的形態(tài)表征

圖1.3硅襯底上化學(xué)氣相沉積法生長的CH3NH3PbI3鈣鈦礦納米線的形態(tài)表征

第1章緒論結(jié)晶法,其中使用孤立的生長環(huán)境(有機(jī)溶劑蒸氣氣氛),來制CH3NH3PbI3納米線。由于消除了蒸氣氣氛中的水分侵入,NW,具有很少的GB和表面缺陷。所制備的基于單晶CH3NH3PbI3器具有優(yōu)異的光電性能。用化學(xué)氣相沉積法也可以制備鈣鈦礦微/納米線。Xin....


圖1.4模板法制備的CH3NH3PbBr3PNW陣列的晶體生長過程和形態(tài)

圖1.4模板法制備的CH3NH3PbBr3PNW陣列的晶體生長過程和形態(tài)

[30]采用模板法制備鈣鈦礦納米線,如圖1.4所示。將“自頂向下”制造的聚二甲基硅氧烷基體溝槽模板(RGT)與“自底向上”溶液自組裝在一起,制備了大規(guī)模鈣鈦礦納米線(PNW)陣列。模板限制效應(yīng)導(dǎo)致CH3NH3PbX3沿RGT定向生長為PNW。圖1.4模板法制備的CH....



本文編號:3942027

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