基于隧道結(jié)的非晶硅/晶體硅疊層電池的設(shè)計(jì)與制備
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【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖2-1處于熱平衡的PN結(jié)Fig.2-1PNjunctioninthermalequilibrium受主空穴過(guò)結(jié)電勢(shì)差
上海電機(jī)學(xué)院碩士學(xué)位論文7第二章電池設(shè)計(jì)理論基礎(chǔ)2.1晶硅太陽(yáng)能電池的物理模型晶硅太陽(yáng)能電池c-Si的帶隙(Eg)為1.12eV,這是產(chǎn)生自由電子空穴對(duì)所需的能量[1]。將磷等V族元素?fù)诫s進(jìn)純的Si,可以增加自由電子的密度[1]。磷位于Si的晶格處,與周?chē)膫(gè)Si原子結(jié)合。第五個(gè)....
圖2-2太陽(yáng)能電池的能量帶圖(a)在熱平衡下,(b)在黑暗條件下向前偏置下,(c)在照明條件下Fig.2-2Theenergybanddiagramofsolarcells(a)underthermalbalance,(b)underforwardbiasindarkconditions,and(c)underlightingconditionsN型qVocEv(c)
上海電機(jī)學(xué)院碩士學(xué)位論文8穴擴(kuò)散到n型Si,使受主產(chǎn)生負(fù)電荷。這種擴(kuò)散導(dǎo)致n側(cè)出現(xiàn)正電荷,p側(cè)出現(xiàn)負(fù)電荷,這個(gè)電場(chǎng)把結(jié)附近的自由電荷耗盡,形成一個(gè)所謂的耗盡區(qū)。圖2-2太陽(yáng)能電池的能量帶圖(a)在熱平衡下,(b)在黑暗條件下向前偏置下,(c)在照明條件下Fig.2-2Theene....
圖2-3簡(jiǎn)單電路中的太陽(yáng)能電池Fig.2-3Solarcellsinsimplecircuits電子中性p區(qū)中性N區(qū)VOC
上海電機(jī)學(xué)院碩士學(xué)位論文9是由內(nèi)部電場(chǎng)平衡的。在熱平衡中,PN結(jié)表示在空間電荷區(qū)存在內(nèi)部電場(chǎng)的情況下,載流子的產(chǎn)生、復(fù)合、擴(kuò)散和漂移之間的平衡。為了更好地理解PN結(jié)的原理,我們使用了如圖2.2所示的能帶圖。PN結(jié)能帶圖中的能級(jí)為:1)Ec(傳導(dǎo)帶),傳導(dǎo)電子能占據(jù)的能量最低;2)....
圖2-4太陽(yáng)能電池的等效電路(a)一個(gè)二
上海電機(jī)學(xué)院碩士學(xué)位論文10電場(chǎng)的強(qiáng)度,導(dǎo)致極少量的大多數(shù)載流子以擴(kuò)散的方式穿過(guò)結(jié)。這些多數(shù)載流子產(chǎn)生的電流稱為正向偏置電流。帶負(fù)載太陽(yáng)能電池的簡(jiǎn)單電路如圖2-3所示。在p-n結(jié)太陽(yáng)能電池中,光子產(chǎn)生的電子-空穴對(duì)是電的來(lái)源[45]。當(dāng)能量高于Si帶隙的光子被Si材料吸收時(shí),在結(jié)....
本文編號(hào):3910678
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