隨著GaInP/GaInAs/GaInNAs/Ge四結太陽電池的快速發(fā)展,設計并鍍制可與四結太陽電池更加匹配的光學減反膜系變得尤為重要。實驗中通過TFCale軟件理論模擬了3對TiO₂/SiO₂(6層)減反膜系,其中理論模擬膜系與實際鍍制膜系反射率曲線重合性良好。實際制備并討論了離子源功率、薄膜物理厚度等參數對減反膜系反射率的影響。發(fā)現(xiàn)得到優(yōu)異反射率的關鍵在于對第二層SiO₂薄膜物理厚度的控制,尤其是在400¹ 000 nm波段內。實驗中制備的3對TiO₂/SiO₂(6層)減反膜系在280¹ 400 nm波段內其反射率均小于10%,特別是在影響四結太陽電池限流結的Ga In As/Ga In NAs兩結波段(670⁹00 nm/900¹ 100 nm)內,其反射率均在5%以下。

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